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1. (WO1998049376) FIELD EMITTER FABRICATION USING OPEN CIRCUIT ELECTROCHEMICAL LIFT OFF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1998/049376 International Application No.: PCT/US1998/002525
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 10.02.1998
Chapter 2 Demand Filed: 18.11.1998
IPC:
H01J 9/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
J
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
9
Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
02
Manufacture of electrodes or electrode systems
Applicants:
CANDESCENT TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; 6580 Via Del Oro San Jose, CA 95119, US
Inventors:
PORTER, John, D.; US
CHAKAROVA, Gabriela, S.; US
KNALL, N., Johan; US
SPINDT, Christopher, J.; US
Agent:
GALLENSON, Mavis, S. ; Ladas & Parry Suite 2100 5670 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90036-5679, US
Priority Data:
08/848,33830.04.1997US
Title (EN) FIELD EMITTER FABRICATION USING OPEN CIRCUIT ELECTROCHEMICAL LIFT OFF
(FR) FABRICATION D'EMETTEUR A EFFET DE CHAMP PAR DECOLLEMENT ELECTROCHIMIQUE DU CIRCUIT OUVERT
Abstract:
(EN) A method for forming a field emitter structure in which a cavity (208) is formed into an insulating layer (206) overlaying a first electrically conductive layer (202). A second electrically conductive layer (210) with an opening (212) is formed above the cavity. Electron emissive material (214) is deposited directly onto the second electrically conductive layer without first depositing an underlying lift-off layer. Electron emissive material covers the opening in the second electrically conductive layer and forms an electron emissive element (216) within the cavity. A first potential is imparted to the electron emissive element. A second open circuit potential is imparted to the closure layer of electron emissive material. The field emitter structure is exposed to an electrochemical etchant (220) wherein the electrochemical etchant etches electron emissive material which is biased at open circuit potential. Electron emissive material is removed from above the second electrically conductive layer without etching the electron emissive element.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une structure émettrice à effet de champ dans laquelle une cavité (208) est réalisée dans une couche isolante (206) superposée à une première couche électriquement conductrice (202). Une seconde couche électriquement conductrice (210) pourvue d'une ouverture (212) est réalisée au-dessus de la cavité. On dépose un matériau (214) émetteur d'électrons directement sur la seconde couche électriquement conductrice sans déposer une couche sous-jacente de décollement. Le matériau émetteur d'électrons recouvre l'ouverture dans la seconde couche électriquement conductrice et forme un élément (216) émetteur d'électrons à l'intérieur de la cavité. Un premier potentiel est appliqué sur l'élément émetteur d'électrons. Un second potentiel circuit ouvert est appliqué sur la couche de fermeture de matériau émetteur d'électrons. La structure d'émission à effet de champ est exposée à un agent d'attaque électrochimique (220) qui attaque le matériau émetteur d'électrons qui est polarisé à un potentiel circuit ouvert. Le matériau émetteur d'électrons est enlevé d'au-dessus de la seconde couche électriquement conductrice sans attaquer l'élément émetteur d'électrons.
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Designated States: JP, KR
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
KR1020010020373EP0998597JP2002511182