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1. (WO1998049121) SEMICONDUCTIVE ZIRCONIA SINTER AND DESTATICIZING MEMBER COMPRISING SEMICONDUCTIVE ZIRCONIA SINTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1998/049121 International Application No.: PCT/JP1998/001882
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 22.04.1998
IPC:
C04B 35/486 (2006.01) ,F16C 33/04 (2006.01) ,G11B 17/038 (2006.01) ,G11B 5/53 (2006.01) ,G11B 5/11 (2006.01) ,G11B 5/187 (2006.01) ,G11B 5/40 (2006.01) ,G11B 5/48 (2006.01)
Applicants: MIKAKI, Shunji[JP/JP]; JP (UsOnly)
HAMASHIMA, Hiroshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
IWASAKI, Kouichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
IWAMOTO, Kuniharu[JP/JP]; JP (UsOnly)
NAKAHARA, Masahiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
OKUMURA, Masahiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
HINO, Syouji[JP/JP]; JP (UsOnly)
NABESHIMA, Yutaka[JP/JP]; JP (UsOnly)
KYOCERA CORPORATION[JP/JP]; 5-22, Kitainoue-cho Higashino Yamashina-ku Kyoto-shi Kyoto 607-8141, JP (AllExceptUS)
Inventors: MIKAKI, Shunji; JP
HAMASHIMA, Hiroshi; JP
IWASAKI, Kouichi; JP
IWAMOTO, Kuniharu; JP
NAKAHARA, Masahiro; JP
OKUMURA, Masahiro; JP
HINO, Syouji; JP
NABESHIMA, Yutaka; JP
Agent: TAKAGI, Yoshiteru; Nishi-Yachiyo Building 23-26, Edobori 1-chome Nishi-ku Osaka-shi Osaka 550-0002, JP
Priority Data:
10/8629931.03.1998JP
9/10915925.04.1997JP
9/10985525.04.1997JP
9/17485630.06.1997JP
9/23527029.08.1997JP
9/29918530.10.1997JP
Title (EN) SEMICONDUCTIVE ZIRCONIA SINTER AND DESTATICIZING MEMBER COMPRISING SEMICONDUCTIVE ZIRCONIA SINTER
(FR) AGGLOMERE DE ZIRCONE SEMICONDUCTEUR ET ELEMENT ELIMINATEUR D'ELECTRICITE STATIQUE COMPRENANT UN AGGLOMERE DE ZIRCONE SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN) A semiconductive zirconia sinter which can be easily produced at low cost and release static electricity at an appropriate rate without considerably lowering the mechanical properties of zirconia. A semiconductive zirconia sinter having a volume resistivity of 105 to 109 $g(V) .cm is formed by incorporating 10 to 40 wt.% at least one conductivity imparting agent selected among oxides of iron, cobalt, nickel, and chromium into 60 to 90 wt.% ZrO2 containing a stabilizer.
(FR) L'invention a pour objet un aggloméré de zircone semiconducteur qui peut être produit aisément, à faibles coûts, et libère une électricité statique, à une vitesse appropriée, sans réduire considérablement les propriétés mécaniques du zircone. Un aggloméré de zircone semiconducteur, présentant une résistivité comprise entre 105 et 109 $g(V) .cm est formé en intégrant 10 à 40 % en poids d'au moins un agent conférant une conductivité, sélectionné parmi des oxydes de fer, cobalt, nickel, et chrome dans 60 à 90 % en poids de ZrO2 contenant un stabilisant.
Designated States: KR, US
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)