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1. (WO1998048973) PLASMA GUN AND METHODS FOR THE USE THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1998/048973 International Application No.: PCT/US1998/008507
Publication Date: 05.11.1998 International Filing Date: 28.04.1998
Chapter 2 Demand Filed: 17.11.1998
IPC:
F03H 1/00 (2006.01) ,H01J 27/04 (2006.01) ,H05G 2/00 (2006.01) ,H05H 1/54 (2006.01)
Applicants: SCIENCE RESEARCH LABORATORY, INC.[US/US]; 3300 Crismore Lane Oakley, CA 94561, US
Inventors: BIRX, Daniel, L.; US
Agent: KRANSDORF, Ronald, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210, US
Priority Data:
08/847,43428.04.1997US
Title (EN) PLASMA GUN AND METHODS FOR THE USE THEREOF
(FR) CANON A PLASMA ET PROCEDES D'UTILISATION ASSOCIES
Abstract: front page image
(EN) A high pulse repetition rate (PRF) plasma gun is provided which gun inlets a selected propellant gas into a column formed between a center electrode (12) and a coaxial outer electrode (14), utilizes a solid state high repetition rate pulse driver (36) to provide a voltage across the electrodes and provides a plasma initiator at the base of the column, which is normally operative when the driver is fully charged. The plasma expands from the base end of the column and off the exit end thereof. When used as a thruster, for example in space applications, the driver voltage and electrode lengths are selected such that the plasma for each pulse exits the column at approximately the same time the voltage across the electrode reaches zero, thereby maximizing the thrust. The plasma is magnetically pinched as it exits the column, thereby raising the plasma temperature to provide thermal radiation at desired wavelengths. The plasma gun parameters can be selected to achieve a desired wavelength within the EUV band.
(FR) On décrit un canon à plasma à cadence élevée de répétition des impulsions qui envoie un gaz propulseur sélectionné dans une colonne formée entre une électrode centrale (12) et une électrode extérieure coaxiale (14), qui utilise un dispositif d'excitation à semiconducteur (36) pour la cadence de répétition élevée afin de produire une tension au niveau des électrodes, et qui utilise un initiateur de plasma à la base de la colonne qui est normalement opérationnel lorsque le dispositif d'excitation est complètement chargé. Lorsqu'on l'utilise en tant que propulseur dans des applications spatiales par exemple, la tension du dispositif d'excitation et la longueur des électrodes sont sélectionnées de sorte que le plasma pour chaque impulsion sorte de la colonne approximativement au même moment que la tension aux électrodes atteint zéro, ceci ayant pour effet d'augmenter au maximum la poussée. Le plasma est magnétiquement pincé lorsqu'il quitte la colonne, ceci augmentant la température du plasma et produisant des radiations thermiques de longueur d'onde désirée. Les paramètres du canon à plasma peuvent être sélectionnés pour permettre d'obtenir une longueur d'onde désirée dans la bande UV extrême.
Designated States: DE, JP
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)