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1. (WO1998040871) PIXEL CIRCUIT, DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT HAVING CURRENT-DRIVEN LIGHT-EMITTING DEVICE
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請 求の範囲

1 . 画素毎に設けられた電流駆動型の発光素子と、

該画素毎に設けられており前記発光素子に流れる駆動電流をデータ信号の電圧 に応じて制御する駆動素子と、

前記発光素子に前記駆動電流を前記駆動素子を介して流すための電源を電源配 線を介して供給する電源部と、

前記駆動素子に前記データ信号を信号配線を介して供給する信号配線駆動部と、 前記信号配線を介して所定電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給したときに 前記発光素子を流れる駆動電流の電流量及び前記発光素子から発せられる光の発 光量のうち少なくとも一方が所定基準値に近付くように、前記電源部における電 源及び前記信号配線駆動部におけるデータ信号のうち少なくとも一方の電圧を調 整する電圧調整部と

を備えたことを特徴とする表示装置。

2 . 前記駆動素子は、ゲートに前記データ信号が供給されると共にゲート電圧 によりコンダクタンスが制御されるソース及びドレイン間を介して前記駆動電流 が流れる薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項 1に記載の表示装置。

3 . 前記電圧調整部は、前記所定電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給した ときの前記駆動電流の電流量を測定する電流量測定部と、該測定された電流量が 予め設定された基準電流量に近付くように前記少なくとも一方の電圧を調整する 電圧制御部とを備えたことを特徴とする請求項 1に記載の表示装置。

4 . 前記電圧調整部は、前記所定電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給した ときの前記発光量を測定する発光量測定部と、該測定された発光量が予め設定さ れた基準発光量に近付くように前記少なくとも一方の電圧を調整する電圧制御部 とを備えたことを特徴とする請求項 1に記載の表示装置。

5 . 表示期間に先立つ非表示期間に、前記少なくとも一方の電圧を調整するよ うに前記電圧調整部を制御するコントローラを更に備えたことを特徴とする請求 項 1に記載の表示装置。

6 . 表示領域において画素毎に設けられた電流駆動型の表示用発光素子と、 該画素毎に設けられており前記表示用発光素子に流れる駆動電流をデータ信号 の電圧に応じて制御する駆動素子と、

前記表示用発光素子に前記駆動電流を前記駆動素子を介して流すための電源を 電源配線を介して供給する電源部と、

前記駆動素子に前記データ信号を信号配線を介して供給する信号配線駆動部と、 モニタ用領域に設けられており前記表示用発光素子と同様に電流駆動される電 流駆動型のモニタ用発光素子と、

該モニタ用発光素子における電流量及び発光量のうち少なくとも一方が所定基 準値に近付くように、前記電源部における電源及び前記信号配線駆動部における データ信号のうち少なくとも一方の電圧を調整する電圧調整部と

を備えたことを特徴とする表示装置。

7 . 前記駆動素子は、ゲートに前記データ信号が供給されると共にゲート電圧 によりコンダクタンスが制御されるソ一ス及びドレイン間を介して前記駆動電流 が流れる薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項 6に記載の表示装置。

8 . 前記電圧調整部は、前記モニタ用発光素子における電流量を測定する電流 量測定部と、該測定された電流量が予め設定された基準電流量に近付くように前 記少なくとも一方の電圧を調整する電圧制御部とを備えたことを特徴とする請求 項 6に記載の表示装置。

9 . 前記電圧調整部は、前記モニタ用発光素子における発光量を測定する発光 量測定部と、該測定された発光量が予め設定された基準発光量に近付くように前 記少なくとも一方の電圧を調整する電圧制御部とを備えたことを特徴とする請求 項 6に記載の表示装置。

1 0 . 表示期間に先立つ非表示期間に前記少なくとも一方の電圧を調整するよ うに前記電圧調整部を制御するコントローラを更に備えたことを特徴とする請求 項 6に記載の表示装置。

1 1 . 前記表示用発光素子と前記モニタ用発光素子とが、同一の基板上に形成 されていることを特徴とする請求項 6に記載の表示装置。

1 2 . 前記表示用発光素子と前記モニタ用発光素子とが、同一の製造工程によ り形成されていることを特徴とする請求項 6に記載の表示装置。

1 3 . 前記電源部は、表示期間に前記表示用発光素子及び前記モニタ用発光素 子の両方に前記駆動電流を流すための電源を供給することを特徴とする請求項 6 に記載の表示装置。

1 4 . 少なくともデータ信号が供給される信号配線並びに駆動電流を流すため の電源が供給される第 1及び第 2給電線が設けられた表示装置の表示領域を構成 するマトリクス状の複数の画素の各々に設けられる画素回路であって、

前記第 1及び第 2給電線間に接続された電流駆動型の発光素子と、

前記第 1及び第 2給電線間に前記発光素子と直列に接続されたソース及びドレ インを介して前記発光素子を流れる前記駆動電流を、ゲートに供給される前記デ —タ信号の電圧に応じて制御する第 1薄膜トランジス夕素子と、

前記駆動電流の電流量の減少及び前記発光素子の発光量の減少のうち少なくと も一方に応じて前記駆動電流を増加させる駆動電流補償素子と

を備えたことを特徴とする画素回路。

1 5 . 前記信号配線は、前記データ信号が供給される信号線及び走査信号が供 給される走査線を含み、

前記走査信号がゲートに供給されると共にソース及びドレインを介して前記デ —タ信号が前記第 1薄膜トランジスタのゲートに供給されるように接続された第 2薄膜トランジスタを更に備えたことを特徴とする請求項 1 4に記載の画素回路。

1 6 . 前記駆動電流補償素子は、前記発光素子の両端の電圧と前記駆動電流の 電流量との関係に依存して、前記第 1給電線と前記第 2給電線との間の抵抗を調 整することを特徴とする請求項 1 4に記載の画素回路。

1 7 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも高電位に設定されてお

前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第 1給電線側の電極に 接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第 2給電線との間に前記発 光素子と直列に接続された nチャネル型の第 1の補正用薄膜トランジスタを含む ことを特徴とする請求項 1 6に記載の画素回路。

1 8 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも低電位に設定されてお り、

前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第 1給電線側の電極に 接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第 2給電線との間に前記発 光素子と直列に接続された Pチャネル型の第 1の補正用薄膜トランジスタを含む ことを特徴とする請求項 1 6に記載の画素回路。

1 9 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも高電位に設定されてお り、

前記駆動電流補償素子は、ゲ一トが前記発光素子の前記第 2給電線側の電極に 接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第 1給電線との間に前記発 光素子と直列に接続された Pチャネル型の第 2の補正用薄膜トランジスタを含む ことを特徴とする請求項 1 6に記載の画素回路。

2 0 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも低電位に設定されてお り、

前記駆動電流補償素子は、ゲ一卜が前記発光素子の前記第 2給電線側の電極に 接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第 1給電線との間に前記発 光素子と直列に接続された nチヤネル型の第 2の補正用薄膜トランジスタを含む ことを特徴とする請求項 1 6に記載の画素回路。

2 1 . 前記第 1薄膜トランジスタのゲートに接続されており、前記第 1薄膜ト ランジス夕のゲート電圧を保持する保持容量を更に備えたことを特徴とする請求 項 1 4に記載の画素回路。

2 2 . 前記駆動電流補償素子は、前記発光素子の両端の電圧と前記駆動電流の 電流量との関係に依存して、前記第 1及び第 2給電線の一方と前記保持容量との 間の抵抗を調整することを特徴とする請求項 2 1に記載の画素回路。

2 3 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも高電位に設定されてお り、

前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第 1給電線側の電極に 接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第 1給電線との間に接続さ れた、前記第 1薄膜トランジスタと同じ n又は pチャネル型の第 3の補正用薄膜 トランジス夕を含むことを特徴とする請求項 2 2に記載の画素回路。

2 4 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも低電位に設定されてお 、

前記駆動電流補償素子は、ゲ一トが前記発光素子の前記第 1給電線側の電極に 接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第 1給電線との間に接続さ れた、前記第 1薄膜トランジスタと同じ n又は pチャネル型の第 3の補正用薄膜 トランジスタを含むことを特徴とする請求項 2 2に記載の画素回路。

2 5 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも高電位に設定されてお り、

前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第 1給電線側の電極に 接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第 2給電線との間に接続さ れた、前記第 1薄膜トランジスタと反対の n又は pチャネル型の第 4の補正用薄 膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項 2 2に記載の画素回路。

2 6 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも低電位に設定されてお り、

前記駆動電流補償素子は、ゲ一トが前記発光素子の前記第 1給電線側の電極に 接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第 2給電線との間に接続さ れた、前記第 1薄膜トランジスタと反対の n又は pチャネル型の第 4の補正用薄 膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項 2 2に記載の画素回路。

2 7 . 前記駆動電流補償素子は、前記発光素子の両端の電圧と前記発光量との 関係に依存して、前記第 1給電線と前記第 2給電線との間の抵抗を調整すること を特徴とする請求項 1 4に記載の画素回路。

2 8 . 前記駆動電流補償素子は、前記発光素子の両端の電圧と前記発光量との 関係に依存して、前記第 1及び第 2給電線の一方と前記保持容量との間の抵抗を 調整することを特徴とする請求項 2 1に記載の画素回路。

2 9 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも高電位に設定されてお り、

前記第 1薄膜トランジスタは、 pチャネル型であり、

前記駆動電流補償素子は、前記保持容量と前記第 1給電線との間に接続された 第 1の補正用薄膜フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項 2 8に記載の 画素回路。

3 0 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも高電位に設定されてお 、

前記第 1薄膜トランジスタは、 pチャネル型であり、

前記駆動電流補償素子は、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第 1給電 線との間に接続された第 5の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請 求項 2 8に記載の画素回路。

3 1 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも低電位に設定されてお 0、

前記第 1薄膜トランジスタは、 nチャネル型であり、

前記駆動電流補償素子は、前記保持容量と前記第 1給電線との間に接続された 第 1の補正用薄膜フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項 2 8に記載の 画素回路。

3 2 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも低電位に設定されてお 0、

前記第 1薄膜トランジスタは、 nチャネル型であり、

前記駆動電流補償素子は、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第 1給電 線との間に接続された第 5の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請 求項 2 8に記載の画素回路。

3 3 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも高電位に設定されてお

前記第 1薄膜トランジスタが、 nチャネル型であり、

前記駆動電流補償素子は、前記保持容量と前記第 2給電線との間に接続された 第 2の補正用薄膜フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項 2 8に記載の 画素回路。

3 4 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも高電位に設定されてお り、

前記第 1薄膜トランジスタが、 nチャネル型であり、

前記駆動電流補償素子は、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第 2給電 線との間に接続された第 6の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請 求項 2 8に記載の画素回路。

3 5 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも低電位に設定されてお 、

前記第 1薄膜トランジスタが、 pチャネル型であり、

前記駆動電流補償素子は、前記保持容量と前記第 2給電線との間に接続された 第 2の補正用薄膜フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項 2 8に記載の 画素回路。

3 6 . 前記第 1給電線の電位は、前記第 2給電線よりも低電位に設定されてお り、

前記第 1薄膜トランジスタが、 pチャネル型であり、

前記駆動電流補償素子は、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第 2給電 線との間に接続された第 6の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請 求項 2 8に記載の画素回路。

3 7 . 前記駆動電流補償素子は、前記第 1薄膜トランジス夕と同一の製造工程 により形成される薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項 1 4に記載の 画素回路。

3 8 . 画素毎に設けられた電流駆動型の発光素子と、

該画素毎に設けられており前記発光素子に流れる駆動電流をデータ信号の電圧 に応じて制御する駆動素子と、

前記発光素子に前記駆動電流を前記駆動素子を介して流すための電源を電源配 線を介して供給する電源部と、

画像信号源から入力される画像信号に対応する電圧を持つデータ信号を信号線 を介して前記駆動素子に供給する信号線駆動回路と、

前記信号線を介して所定電圧のデータ信号を前記駆動素子に供給したときに前 記発光素子を流れる駆動電流の電流量及び前記発光素子から発せられる光の発光 量のうち少なくとも一方を測定する測定部と、

前記画像信号源と前記信号線駆動回路との間に介在しており前記測定された電 流量及び発光量の少なくとも一方が所定基準値に近付くように前記画像信号を補 正した後に前記信号線駆動回路に入力する補正回路と

を備えたことを特徴とする表示装置。

3 9 . 前記駆動素子は、ゲートに前記データ信号が供給されると共にゲート電 圧によりコンダクタンスが制御されるソース及びドレイン間を介して前記駆動電 流が流れる薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項 3 8に記載の表示 装置。

4 0 . 前記測定された電流量及び発光量の少なくとも一方を記憶するメモリ装 置を更に備えており、

前記補正回路は、該記憶された電流量及び発光量の少なくとも一方に基づいて 前記画像信号を補正することを特徴とする請求項 3 8に記載の表示装置。

4 1 . 前記電源配線は、画素列に対応して設けられており、

前記測定部は、前記駆動電流の電流量を測定し、

前記電源配線を表示期間に前記電源部の側に接続すると共に非表示期間に前記 測定部の側に接続する切換スィツチと、順次パルスを前記電源配線の各々に対応 して順次出力するシフトレジスタと、前記非表示期間に前記順次パルスに応じて 前記電源配線の各々と前記測定部との間の導通を順次制御する伝送スィツチとを 含む共通線駆動回路を更に備えたことを特徴とする請求項 3 8に記載の表示装置。 4 2 . 前記測定部は、前記発光量を測定し、

画素列に対応して設けられており前記発光量を示す電気信号を前記測定部に伝 送する検光線と、

順次パルスを前記検光線の各々に対応して順次出力するシフトレジス夕と、非 表示期間に前記順次パルスに応じて前記検光線の各々と前記測定部との間の導通 を順次制御する伝送スィツチとを含む検光線駆動回路と

を更に備えたことを特徴とする請求項 3 8に記載の表示装置。

4 3 . 前記測定部は、半導体素子の光励起電流によって前記発光量を測定する ことを特徴とする請求項 3 8に記載の表示装置。

4 4 . 前記半導体素子が P I Nダイォ一ドであることを特徴とする請求項 4 3 に記載の表示装置。

4 5 . 前記半導体素子が電界効果型トランジスタであることを特徴とする請求 項 4 3に記載の表示装置。

4 6 . 前記駆動素子は薄膜トランジスタからなり、該薄膜トランジスタと前記 半導体素子とが、同一の工程で形成されることを特徴とする請求項 4 3に記載の 表示装置。

4 7 . 前記駆動素子は、 6 0 0 °C以下の低温プロセスで形成された、多結晶シ リコン薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項 3 8に記載の表示装置。 4 8 . 前記発光素子は、インクジェットプロセスで形成された、有機エレクト 口ルミネッセンス素子からなることを特徴とする請求項 3 8に記載の表示装置。

4 9 . 前記測定部は、前記駆動電流及び前記発光量の少なくとも一方の測定を 画素毎に行い、

前記補正回路は、該画素毎に前記画像信号を補正することを特徴とする請求項 3 8に記載の表示装置。

5 0 . 前記測定部は、前記駆動電流及び前記発光量の少なくとも一方の測定を 複数の画素からなる所定単位毎に行い、

前記補正回路は、該所定単位毎に前記画像信号を補正することを特徴とする請 求項 3 8に記載の表示装置。

5 1 . 前記補正回路は、前記画像信号の信号レベルを既定の信号レベルから他 の既定の信号レベルへと変換することにより前記画像信号を補正することを特徴 とする請求項 3 8に記載の表示装置。

5 2 . 請求項 1 4に記載の画素回路を画素毎に備えたことを特徴とする表示装 置。

5 3 . 請求項 1に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。

5 4 . 請求項 6に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。

5 5 . 請求項 3 8に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。