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1. WO1998035393 - POLYMER SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AT LEAST A RECTIFYING FUNCTION AND METHOD FOR MAKING SAME

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ FR ]

REVENDICATIONS
1. Dispositif semiconducteur en polymère comportant au moins une fonction redresseuse, caractérisé en ce que la fonction est réalisée par une couche de polymère (12,29,32) comprise entre des premiers (11,21,31) et des seconds (13,24,25,32) moyens formant électrodes, la couche de polymère constituant une matrice hôte pour des molécules polaires, les molécules polaires étant orientées électriquement dans une direction perpendiculaire aux premiers et seconds moyens formant électrodes, les charges électriques de même signe des molécules polaires étant dirigées vers les mêmes moyens formant électrode.
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites molécules polaires sont des molécules dopant la matrice hôte.
3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites molécules polaires sont des molécules greffées dans la matrice hôte.
4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérise en ce que lesdites molécules polaires possèdent un groupe accepteur d'électrons et un groupe donneur d'électrons séparées par un ou plusieurs groupements comportant des systèmes d'électrons π conjugués.
5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 4, caractérisé en ce que la matrice hôte est à base d'un polymère choisi parmi le polythiophene, le polyparaphenylène, le polyparaphénylènevmylène, le polyméthylméthacrylate, le polyvmylcarbazole, le polycarbonate, le polystyrène et le poly (chlorure de vinyle) .
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 a 5, caractérise en ce qu'il comporte un substrat (10,20,30) servant de support aux premiers moyens formant électrode (11,21,31), au moins l'un des éléments constitués par, soit le substrat et les premiers moyens formant électrode, soit les deuxièmes moyens (13,24,25,33) formant électrode étant transparent.
7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le substrat (10,20,30) servant de support aux premiers moyens formant électrode est en verre ou en plastique.
8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat conducteur servant à la fois de support et de premiers moyens formant électrode.
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que, le dispositif étant une photopile, lesdites molécules polaires sont des molécules de 4 [N- (2-hydroxyéthyl) -N-éthyl ] -amino-4 ' -nitrobenzène .
10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que, le dispositif étant une diode électroluminescente, lesdites molécules polaires sont des molécules de
4- (diciyanométhylène) -2-méthyl-6- (p-diméthylammostyryl) -4H-pyrane .
11. Procédé de réalisation d'un dispositif semiconducteur en polymère comportant au moins une fonction redresseuse, caractérisé en ce qu'il inclut les étapes suivantes :
- formation d'une couche (12,29,32) à base de polymère et comprenant des molécules polaires, le polymère constituant une matrice hôte pour les molécules polaires,
- orientation des molécules polaires dans la matrice hôte pour que les charges électriques de même signe des molécules polaires soient dirigées d'un même côté .
12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que les molécules polaires sont introduites en tant que dopants dans la matrice hôte.
13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que les molécules polaires sont introduites par greffage dans la matrice hôte.
14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que l'orientation des molécules polaires dans la matrice hôte est effectuée :
- en appliquant, pendant une durée déterminée, un champ électrique statique sur ladite couche (12,29,32), cette couche étant portée à une température proche de sa température de transition vitreuse,
- puis, en maintenant le champ électrique statique pendant le refroidissement de ladite couche.
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que l'orientation des molécules polaires dans la matrice hôte est effectuée en appliquant, pendant une durée déterminée, un champ électrique statique sur ladite couche, cette couche étant soumise à l'impact d'un faisceau lumineux.
16. Procédé selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisé en ce que le champ électrique d'orientation est appliqué à ladite couche (12,29,32) par l'intermédiaire de moyens formant électrodes (11,13,21,24,25,31,33) et destinées a constituer des électrodes pour le dispositif.
17. Procédé selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisé en ce que le champ électrique d'orientation est appliqué a ladite couche par effet Corona.