WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1998033214) SEMICONDUCTOR WAFER FABRICATION OF INSIDE-WRAPPED CONTACTS FOR ELECTRONIC DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/033214    International Application No.:    PCT/US1998/001540
Publication Date: 30.07.1998 International Filing Date: 26.01.1998
Chapter 2 Demand Filed:    13.07.1998    
IPC:
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Applicants: CHIPSCALE, INC. [US/US]; 576 Charcot Avenue San Jose, CA 95131 (US)
Inventors: RICHARDS, John, G.; (US).
RICHMOND, Donald, P., II; (US).
SANDER, Wendell, B.; (US)
Agent: VINCENT, Lester, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025-1026 (US)
Priority Data:
08/788,764 24.01.1997 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR WAFER FABRICATION OF INSIDE-WRAPPED CONTACTS FOR ELECTRONIC DEVICES
(FR) FABRICATION DE PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEUR POUR FORMER DES CONTACTS A ENVELOPPEMENT INTERNE POUR DISPOSITIFS ELECTRONIQUES
Abstract: front page image
(EN)A packaging technique for electronic devices includes wafer fabrication of contacts that wrap down the inside surface of a substrate post. Inherently reliable contacts suitable for a variety of devices can be formed, via a simple fabrication process, with good wafer packaging density. A trench (303) is formed in the top surface of a substrate (300) parallel to the edge of its electronic circuit. A gold beam wire (305) extends from a connection point within the circuit into the trench (303). Unless an insulative substrate is used, the wire (305) runs over an insulating layer that ends part way through the trench (303). After epoxy encapsulating (306) the top of the substrate (300), it is back planned to form the bottom surface of the post (313). Then it is selectively back etched, to expose the bottom surface of the wire (305), to form the inside surface of the post (313), and to form the bottom surface of the finished device. A solderable lead wire (307) runs from the exposed gold wire (305), down the inside surface of the post, and across its bottom. Sawing forms the outside surface of the post and completes the finished device without subsequent assembly. Alternatively, no post is used and the contact compromises an encapsulant protrusion, similarly formed in a silicon trench that is subsequently etched away. Gold wires run under the protrusion and may be covered by solderable metal, or a dense gold compression bond may be used. Optionally, the bottom of the finished device drops down to be co-planar with the contact bottoms, so as to conduct heat out of the device.
(FR)La présente invention concerne une technique d'encapsulation pour dispositifs électroniques qui comporte la fabrication de plaquettes dont les contacts enveloppent la surface intérieure d'un plot de substrat. Grâce à un procédé de fabrication simple, on peut former des contacts intrinsèquement fiables que l'on peut utiliser avec une pluralité de dispositifs et qui sont dotés d'une densité de composants sur plaquette élevée. Sur la face supérieure d'un substrat (300), on forme une tranchée (303) parallèle à l'extrémité de son circuit électronique. Un faisceau de fils d'or (305) s'étend à partir d'un point de connexion situé à l'intérieur du circuit, vers l'intérieur de la tranchée (303). A moins d'utiliser un substrat isolant, le fil (305) s'étend sur une couche isolante qui ne traverse pas complètement la tranchée (303). Après avoir été recouverte par de la résine d'époxyde (306), la partie supérieure du substrat (300) est rabotée pour former la partie inférieure du plot (313). Ensuite, elle est de nouveau attaquée, cette attaque servant à mettre à nu la partie inférieure du fil (305) et à former les surfaces internes du plot (313) et du dispositif fini. Un fil de sortie soudable (307) s'étend à partir du fil d'or (305) mis à nu, descend le long de la surface interne du plot, et court le long de sa partie inférieure. Le sciage forme la surface externe du plot et termine le dispositif fini sans assemblage ultérieur. Dans un autre mode de réalisation, on n'utilise pas de plot et le contact comporte une saillie d'encapsulation, également formée dans une tranchée en silicium qui est ultérieurement enlevée par attaque. Les fils d'or courent sous la saillie et peuvent être recouverts d'un métal soudable, ou bien on peut réaliser une liaison par compression dense de l'or. Eventuellement, la partie inférieure du dispositif fini est abaissée pour être sur le même plan que les extrémités des contacts, de manière à conduire la chaleur en dehors du dispositif.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)