WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1998033200) MODULATOR FOR PLASMA-IMMERSION ION IMPLANTATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/033200    International Application No.:    PCT/DE1998/000144
Publication Date: 30.07.1998 International Filing Date: 17.01.1998
Chapter 2 Demand Filed:    19.08.1998    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: FORSCHUNGSZENTRUM ROSSENDORF E.V. [DE/DE]; Bautzner Landstrasse 128, D-01474 Schönfeld-Weißig (DE) (For All Designated States Except US).
GÜNZEL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GÜNZEL, Reinhard; (DE)
Priority Data:
197 02 294.4 23.01.1997 DE
Title (DE) MODULATOR FÜR DIE PLASMAIMMERSIONS-IONENIMPLANTATION
(EN) MODULATOR FOR PLASMA-IMMERSION ION IMPLANTATION
(FR) MODULATEUR POUR L'IMPLANTATION D'IONS PAR IMMERSION DANS UN PLASMA
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft mit dem Modulator für die Steuerung der hochspannungsgepulsten Plasmaimmersions-Ionenimplantation (PIII) ein wesentliches Bauteil einer PIII-Anlage. Mit der Erfindung sollen mit geringerem technischen und finanziellen Aufwand die bei der PIII während der Wirkung eines Hochspannungspulses fließenden großen Ströme unter Hochspannung ein- und ausgeschalten werden. Erfindungsgemäß wird dies durch einen Modulator gelöst, mit dem die Pulssteuerung nicht über einen als technisch eigenständige Einheit beigestellten Hochspannungsschalter erfolgt, sondern mittels einer über ein Abschirmgitter steuerbaren Zusatzelektrode. Diese Elektrode ist einschließlich des Abschirmgitters in die Implantationskammer integriert und mit dem Kondensator für die Bereitstellung der Hochspannung verbunden, während das Abschirmgitter über einen Pulserzeuger mit Spannungspulsen von 1-2000 V angesteuert wird. Das Abschirmgitter, das die in den Plasmaraum eintauchende Elektrode umgibt, gewährleistet durch das Anlegen steuerbarer Gitterspannungen, daß die zusätzliche Elektrode vom Plasma entweder isoliert ist, oder aber im elektrischen Kontakt mit diesem steht. In letzterem Fall wird analog geschlossenem Schalter in bekannten Modulatoren der Entladestromkreis des Kondensators geschlossen.
(EN)The invention relates to a modulator for regulating high voltage pulsed plasma-immersion ion implantation (PIII) acting as a substantial component in a PIII installation. The aim of the invention is to enable low-cost, easy connection and disconnection of the flow of large high voltage pulsed currents during PIII. According to the invention this is achieved by a modulator in which pulse regulation occurs by means of an additional electrode which can be controlled by a shielding grid as opposed to a high voltage switch mounted as a technically autonomous unit. Said electrode and shielding grid are integrated into the implantation chamber and connected to the capacitor to provide high voltage. The shielding grid is triggered by a pulse generator with voltage pulses of 1-2000 V. The shielding grid surrounding the electrode is immersed in the plasma and ensures that the additional electrode is either insulated from the plasma or in electric contact therewith by applying controllable grid voltages. In the latter case, the discharge current circuit of the capacitor is closed in a manner similar to that of a switch as in known modulators.
(FR)L'invention concerne un modulateur servant à réguler l'implantation d'ions par immersion dans un plasma avec impulsions haute tension, ce modulateur constituant une partie essentielle d'une installation d'implantation d'ions par immersion dans un plasma. L'objectif de l'invention est de permettre, avec une faible complexité technique et avec des coûts réduits, l'arrêt ou le passage des courants importants s'écoulant, sous haute tension, lors de l'implantation d'ions par immersion dans un plasma, pendant l'effet d'une impulsion haute tension. Selon l'invention, cet objectif est atteint grâce à un modulateur avec lequel la régulation d'impulsions ne se fait pas par l'intermédiaire d'un commutateur haute tension monté en tant qu'unité techniquement autonome, mais au moyen d'une électrode additionnelle pouvant être commandée par l'intermédiaire d'une grille de blindage. Cette électrode est, avec la grille de blindage, intégrée dans la chambre d'implantation et reliée au condensateur pour la fourniture de la haute tension, tandis que la grille de blindage est attaquée, par l'intermédiaire d'un générateur d'impulsions, avec des impulsions de tension de 1-2000V. La grille de blindage, qui entoure l'électrode qui plonge dans le compartiment à plasma, garantit, par l'application de tensions de grille pouvant être commandées, que l'électrode additionnelle est soit isolée du plasma, soit en contact électrique avec celui-ci. Dans le dernier cas, le circuit de courant de décharge du condensateur est fermé de façon analogue à ce qui se passe avec un commutateur fermé dans des modulateurs connus.
Designated States: AU, CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)