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1. (WO1998032595) FLEXIBLE SKIN INCORPORATING MEMS TECHNOLOGY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/032595    International Application No.:    PCT/US1998/001510
Publication Date: 30.07.1998 International Filing Date: 23.01.1998
Chapter 2 Demand Filed:    21.08.1998    
IPC:
B81B 7/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 East California Boulevard, Pasadena, CA 91125 (US)
Inventors: TAI, Yu-Chong; (US).
FUKANG, Jiang; (US).
CHIHMING, Ho; (US)
Agent: HARRIS, Scott, C.; Fish & Richardson P.C., Suite 1400, 4225 Executive Square, La Jolla, CA 92037 (US)
Priority Data:
60/036,252 24.01.1997 US
Title (EN) FLEXIBLE SKIN INCORPORATING MEMS TECHNOLOGY
(FR) PELLICULE SOUPLE INCORPORANT DES DISPOSITIFS MICROELECTROMECANIQUES
Abstract: front page image
(EN)A flexible skin formed of silicon islands (222) encapsulated in a polyimide film (214, 224). The silicon islands (222) preferably include a MEMS device and are connected together by a polyimide film (214, 222) (preferably about 1-100 $g(m)m thick). To create the silicon islands (222), silicon wafers (202) are etched to a desirable thickness (preferably about 10-500 $g(m)m) by Si wet etching and then patterned from the back side (200) by reactive ion etching (RIE).
(FR)Cette invention se rapporte à une pellicule souple formée d'îlots de silicium (222) encapsulés dans un film polyimide (214, 224). Lesdits îlots de silicium (222) incorporent de préférence un dispositif microélectromécanique (MEM) et sont reliés entre eux par un film polyimide (214, 224) (doté de préférence d'une épaisseur comprise entre 1 et 100 $g(m)m). On crée les îlots de silicium (222) en gravant des tranches de silicium (202) jusqu'à ce qu'elle présente l'épaisseur souhaitée (comprise de préférence entre 10 et 500 $g(m)m) par attaque humide du silicium, puis en traçant des motifs sur la face arrière (200) des tranches par attaque au plasma d'ions réactifs (RIE $i(reactive ion etching)).
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)