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1. (WO1998032163) GAS PHASE SILICON ETCHING WITH BROMINE TRIFLUORIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1998/032163 International Application No.: PCT/US1998/001296
Publication Date: 23.07.1998 International Filing Date: 22.01.1998
Chapter 2 Demand Filed: 21.08.1998
IPC:
B81C 1/00 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY[US/US]; 1200 East California Boulevard Pasadena, CA 91125, US
Inventors: TAI, Yu-Chong; US
WANG, Xuan-Oi; US
Agent: HARRIS, Scott, C.; Fish & Richardson P.C. Suite 1400 4225 Executive Square La Jolla, CA 92037, US
Priority Data:
60/035,30722.01.1997US
Title (EN) GAS PHASE SILICON ETCHING WITH BROMINE TRIFLUORIDE
(FR) ATTAQUE CHIMIQUE DU SILICIUM EN PHASE GAZEUSE AVEC DU TRIFLUORURE DE BROME
Abstract:
(EN) An apparatus and method for gas-phase bromine trifluoride (BrF3) silicon isotropic room temperature etching system for both bulk and surface micromachining. The gas-phase BrF3 can be applied in a pulse mode and in a continuous flow mode. The etching rate in pulse mode is dependent on gas concentration, reaction pressure, pulse duration, pattern opening area and effective surface area.
(FR) L'invention porte sur un appareil et un procédé destinés à être utilisés dans un système à température ambiante d'attaque chimique isotrope du silicium avec un trifluorure de brome (BrF3) en phase gazeuse pour le micro-usinage en masse et en surface. Le BrF3 en phase gazeuse peut être appliqué dans un mode d'écoulement impulsionnel et continu. La vitesse d'attaque en mode impulsionnel dépend de la concentration en gaz, la pression réactionnelle, la durée des impulsions, la surface d'ouverture du motif et de la superficie réelle.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)