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1. (WO1998031052) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/031052    International Application No.:    PCT/JP1998/000026
Publication Date: 16.07.1998 International Filing Date: 08.01.1998
Chapter 2 Demand Filed:    08.01.1998    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (For All Designated States Except US).
IIJIMA, Sinpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGAWARA, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANAI, Misuzu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASANO, Isamu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUNITOMO, Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IIJIMA, Sinpei; (JP).
SUGAWARA, Yasuhiro; (JP).
KANAI, Misuzu; (JP).
ASANO, Isamu; (JP).
KUNITOMO, Masato; (JP)
Agent: TAKAHASHI, Akio; Nitto International Patent Office, Yusenkayabacho Building, 9-8, Nihonbashi-kayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 103 (JP)
Priority Data:
9/2559 10.01.1997 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device which can solve such a problem that the increase of the capacitance of a capacitor used for a DRAM becomes difficult due to silicon oxide produced when polycrystalline silicon is used for electrodes even when tantalum oxide is used as the dielectric substance of the capacitor. In the semiconductor device provided with a capacitor structure formed in a cylindrical body, the cylindrical capacitor structure provided with a cylindrical lower electrode composed of a tantalum nitride, a dielectric substance which is formed on the lower electrode and composed of polycrystalline tantalum oxide, and an upper electrode which is formed on the dielectric substance and composed of tantalum nitride is constituted in one constituent element.
(FR)Ce dispositif à semi-conducteur permet de résoudre le problème lié à l'augmentation de la capacité d'un condensateur utilisé pour une mémoire RAM dynamique, lequel problème résulte de la production d'oxyde de silicium si on utilise du silicium polycristallin pour des électrodes, même lorsque l'on utilise de l'oxyde de tantale en tant que substance diélectrique du condensateur. Dans ce dispositif à semi-conducteur doté d'une structure de condensateur formée dans un corps cylindrique, cette structure de condensateur cylindrique est constituée comme un seul composant présentant une électrode inférieure cylindrique composée d'un nitrure de tantale, une substance diélectrique formée sur l'électrode inférieure et composée d'oxyde de tantale polycristallin, et une électrode supérieure formée sur la substance diélectrique et composée de nitrure de tantale.
Designated States: CN, JP, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)