WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1998031044) A FIELD EMITTER DEVICE WITH A CURRENT LIMITER STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/031044    International Application No.:    PCT/US1998/000149
Publication Date: 16.07.1998 International Filing Date: 13.01.1998
Chapter 2 Demand Filed:    12.08.1998    
IPC:
H01J 1/304 (2006.01)
Applicants: FED CORPORATION [US/US]; Hudson Valley Research Park 1580 Route 52 Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Inventors: JONES, Gary, W.; (US).
JONES, Susan, K., S.; (US).
MARINO, Jeffrey; (US).
HO, Joseph, K.; (US).
BOYSEL, Robert, Mark; (US).
ZIMMERMAN, Steven, M.; (US).
LIU, Yachin; (US).
COSTA, Michael, J.; (US).
SILVERNAIL, Jeffrey, A.; (US)
Agent: COYNE, Patrick, J.; Collier, Shannon, Rill & Scott Suite 400 3050 K Street, N.W. Washington, DC 20007 (US)
Priority Data:
08/781,289 13.01.1997 US
Title (EN) A FIELD EMITTER DEVICE WITH A CURRENT LIMITER STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF EMETTEUR DE CHAMP MUNI D'UNE STRUCTURE DE LIMITATION DE COURANT
Abstract: front page image
(EN)A field emitter device includes a column conductor (22), an insulator (23), and a resistor structure (32) for advantageously limiting current in a field emitter array. A wide column conductor (22) is deposited on an insulating substrate (21). An insulator (47) is laid over the column conductor (22). A high resistance layer (32) is placed on the insulator (23) and is physically isolated from the column conductor (22). The high resistance material may be chromium oxide or 10-50 wt.% Cr+SiO. A group of microtip electron emitters (30) is placed over the high resistance layer (32) to connect in an electrical series circuit the colum conductor (22), the high resistance layer (32), and the group of electron emitters (30). One or more layers of insulator (23) and a gate electrode (24), all with cavities for the electron emitters, are laid over the high resistance material (32). One layer of insulator is selected from a group of materials including SiC, SiO, and Si3N4. An anode plate (60) is attached with intermediate space (70) between the anode plate (60) and the microtip electron emitters (30) being evacuated.
(FR)On décrit un dispositif emetteur de champ qui comprend un conducteur colonne, un isolant et une structure de résistance pour limiter efficacement le courant dans un réseau émetteur de champ. Un large conducteur colonne est déposé sur un substrat isolant. Un isolant est posé sur le conducteur colonne. Une couche haute résistance est placée sur l'isolant et isolée physiquement du conducteur colonne. Le matériau haute résistance peut être un oxyde de chrome ou bien un composé Cr+SiO représentant 10 à 50 % (en poids). Un groupe d'émetteurs d'électrons micropointes est placé sur la couche haute résistance. Un cavalier faible résistance relie le conducteur colonne et la couche haute résistance, pour raccorder en un circuit série électrique le conducteur colonne, la couche haute résistance et le groupe d'émetteurs d'électrons. Une ou plusieurs couches d'isolant et une électrode de grille, tous munis de cavités pour les émetteurs d'électrons, sont disposés sur le matériau haute résistance. Une couche d'isolant est sélectionné dans le groupe de matériaux comprenant SiC, SiO et Si3N4. Une plaque anode est fixée, l'espace intermédiaire entre la plaque anodique et le groupe d'émetteurs d'électrons micropointes étant mis sous vide.
Designated States: CA, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)