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1. (WO1998030068) BAKING OVEN FOR THE HIGH-TEMPERATURE TREATMENT OF MATERIALS WITH A LOW DIELECTRIC LOSS FACTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1998/030068 International Application No.: PCT/EP1998/000003
Publication Date: 09.07.1998 International Filing Date: 02.01.1998
Chapter 2 Demand Filed: 11.07.1998
IPC:
H05B 6/70 (2006.01) ,H05B 6/80 (2006.01)
Applicants: BARTUSCH, Wolfgang[DE/DE]; DE (UsOnly)
MÜLLE, Günter[DE/DE]; DE (UsOnly)
GERO HOCHTEMPERATURÖFEN GMBH[DE/DE]; Monbachstrasse 7 D-75242 Neuhausen, DE (AllExceptUS)
Inventors: BARTUSCH, Wolfgang; DE
MÜLLE, Günter; DE
Agent: LUTZ, Johannes ; Wolf & Lutz Hauptmannsreute 93 D-70193 Stuttgart, DE
Priority Data:
197 00 141.604.01.1997DE
Title (EN) BAKING OVEN FOR THE HIGH-TEMPERATURE TREATMENT OF MATERIALS WITH A LOW DIELECTRIC LOSS FACTOR
(FR) FOUR POUR LE TRAITEMENT A HAUTE TEMPERATURE DE MATERIAUX A FAIBLE FACTEUR DE PERTE DIELECTRIQUE
(DE) BRENNOFEN FÜR DIE HOCHTEMPERATURBEHANDLUNG VON MATERIALIEN MIT NIEDRIGEM DIELEKTRISCHEM VERLUSTFAKTOR
Abstract: front page image
(EN) In a baking oven (10) for the high-temperature treatment of materials with a relatively low dielectric loss factor (tan $g(d)) by heating the material by absorption of microwave energy in a resonant chamber (16), a uniform energy intensity of the microwave field is to be achieved for example by irradiating the microwave energy over a broad band and/or by varying in time the frequency of the irradiated microwave energy. The resonant chamber (16) and the radiation source (13) are tuned to each other such that the relation: (V/$g(l)3) .B$m(G) 20 is satisfied. V stands for the volume of the resonant chamber (16), $g(l) for the wavelength of the microwave radiation and B its band width. V/$g(l)3 equals at least 300 and the clear dimensions lx, ly and lz of the resonant cavity (16) in the direction of the co-ordinates x, y and z are approximately equal to the cubic root of V. The wall (161 to 166) of the resonant cavity is made of graphite and can be heated by a heating device (28) up to the temperature of the material to be treated. The heating device is arranged outside the resonant chamber, and a heat insulating envelope (38) encloses the unit of resonant cavity (16) and heating device.
(FR) Dans ce four (10) de traitement à haute température de matériaux à faible facteur de perte diélectrique (tan $g(d)), des matériaux sont chauffés par absorption d'énergie de micro-ondes dans une cavité résonnante (16) dans laquelle il s'agit de distribuer uniformément l'intensité de l'énergie du champ de micro-ondes par exemple par irradiation à large bande d'énergie de micro-ondes et/ou par variation dans le temps de la fréquence de l'énergie de micro-ondes irradiée. La cavité résonnante (16) et la source de rayonnement (13) sont mutuellement accordées de façon à satisfaire la relation: (V/$g(l)3) .B$m(G) 20, dans laquelle V désigne le volume de la cavité résonnante (16), $g(l) la longueur d'onde du rayonnement à micro-ondes et B leur largeur de bande, V/$g(l)3 vaut au moins 300 et les dimensions intérieures lx, ly and lz de la cavité résonnante (16) dans la direction des coordonnées x, y et z ont une valeur à peu près égale à la racine cubique de V. La paroi (161 à 166) de la cavité résonnante est constituée de graphite et peut être chauffée par un dispositif de chauffage (28) jusqu'à la température du matériau à traiter. Le dispositif de chauffage est monté à l'extérieur de la cavité résonnante et une enveloppe calorifuge (38) entoure l'unité constituée par la cavité résonnante (16) et par le dispositif de chauffage.
(DE) Bei einem Brennofen (10) für die Hochtemperaturbehandlung von Materialien mit relativ niedrigem dielektrischem Verlustfaktor (tan $g(d)) unter Erwärmung des Materials durch Absorbtion von Mikrowellenernergie in einem Hohlraumresonator (16), in dem, z.B. durch breitbandige Einstrahlung von Mikrowellenenergie und/oder durch zeitliche Variation der Frequenz der eingestrahlten Mikrowellenenergie, gleichmäßige Energiedichte des Mikrowellenfeldes erzielt werden soll, sind der Hohlraumresonator (16) und die Strahlungsquelle (13) dahingehend aufeinander abgestimmt, daß die Relation: (V/$g(l)3) .B$m(G)20 erfüllt ist, worin mit V das Volumen des Hohlraumresonators (16), mit $g(l) die Wellenlänge der Mikrowellenstrahlung und mit B deren Bandbreite bezeichnet sind, des weiteren die Größe V/$g(l)3 einen Wert von mindestens 300 hat und die lichten Abmessungen lx, ly und lz des Hohlraumresonators (16) in den Koordinatenrichtungen x, y und z jeweils einen Wert um 3$m(R)V haben. Die Resonatorwand (161 bis 166) besteht aus Graphit. Sie istm ittels einer Heizeinrichtung (28) auf die Temperatur der Behandlungsgutes aufheizbar. Die Heizeinrichtung ist außerhalb des Hohlraumresonators angeordnet, und ein Wärmedämmmantel (38) umschließt die den Hohlraumresonator (16) und die Heizeinrichtung umfassende Baugruppe.
Designated States: AU, CA, CN, JP, US
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)