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1. (WO1998029902) METHOD FOR RESTORING THE RESISTANCE OF INDIUM OXIDE SEMICONDUCTORS AFTER HEATING WHILE IN SEALED STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/029902    International Application No.:    PCT/US1996/020669
Publication Date: 09.07.1998 International Filing Date: 27.12.1996
Chapter 2 Demand Filed:    27.04.1998    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: RADIANT TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1009 Bradbury Drive, S.E., Albuquerque, NM 87106 (US)
Inventors: SEAGER, Carleton, H.; (US).
EVANS, Joseph, Tate, Jr.; (US)
Agent: WARD, Calvin, B.; 18 Crow Canyon Court #305, San Ramon, CA 94583 (US)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR RESTORING THE RESISTANCE OF INDIUM OXIDE SEMICONDUCTORS AFTER HEATING WHILE IN SEALED STRUCTURES
(FR) PROCEDE DE RESTAURATION DE LA RESISTANCE DE SEMI-CONDUCTEURS D'OXYDE D'INDIUM APRES CHAUFFAGE EN STRUCTURES SCELLEES
Abstract: front page image
(EN)A method for counteracting increases in resistivity encountered when Indium Oxide resistive layers (18) are subjected to high temperature annealing steps during semiconductor device fabrication. The method utilizes a recovery annealing step which returns the Indium Oxide layer (18) to its original resistivity after a high temperature annealing step has caused the resistivity to increase. The recovery anneal comprises heating the resistive layer (18) to a temperature between 100 °C and 300 °C for a period of time that depends on the annealing temperature. The recovery is observed even when the Indium Oxide layer is sealed under a dielectric layer (24).
(FR)L'invention porte sur un procédé visant à enrayer l'augmentation de la résistivité rencontrée lorsque des couches résistives (18) d'oxyde d'indium sont soumises à des étapes de recuit à haute température au cours de la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs. Ce procédé met en oeuvre une étape de recuit de restauration qui redonne à la couche d'oxyde d'indium (18) sa résistivité initiale après que l'étape de recuit à haute température ait provoquée l'augmentation de la résistivité. Le recuit de restauration consiste à chauffer la couche résistive (18) à une température comprise entre 100 °C et 300 °C sur une durée qui est fonction de la température de recuit. Cette restauration est observée même lorsque la couche d'oxyde d'indium est scellée sous une couche diélectrique (24).
Designated States: AU, CA, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)