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1. (WO1998029722) METHOD FOR MAKING A THIN FILM RESONANT MICROBEAM ABSOLUTE PRESSURE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/029722    International Application No.:    PCT/US1997/024108
Publication Date: 09.07.1998 International Filing Date: 29.12.1997
Chapter 2 Demand Filed:    27.07.1998    
IPC:
G01L 9/00 (2006.01)
Applicants: HONEYWELL INC. [US/US]; Honeywell Plaza, Minneapolis, MN 55408 (US)
Inventors: HERB, William, R.; (US).
BURNS, David, W.; (US)
Agent: SHUDY, John, G., Jr.; Honeywell Inc., Honeywell Plaza - MN12-8251, P.O. Box 524, Minneapolis, MN 55440-0524 (US)
Priority Data:
08/778,375 31.12.1996 US
Title (EN) METHOD FOR MAKING A THIN FILM RESONANT MICROBEAM ABSOLUTE PRESSURE SENSOR
(FR) PROCEDE SERVANT A FABRIQUER UN CAPTEUR DE PRESSION ABSOLUE RESONANT A COUCHES MINCES COMPORTANT UNE MICROPOUTRE
Abstract: front page image
(EN)A micromechanical sensor having a polysilicon beam that is an integral part of the diaphragm resulting in a frequency of the beam that is a direct result of the pressure applied to the external surface of the diaphragm. Fabrication of this resonant microbeam sensor has no backside wafer processing, and involves a process and layout independent of wafer thickness for high yield and robustness. Both the diaphragm and resonant beam are formed from polysilicon. The sensor may have more than one resonant beam. The sensor beam or beams may be driven and sensed by electrical or optical mechanisms. For stress isolation, the sensor may be situated on a cantilevered single crystal silicon paddle. The sensor may be recessed on the isolating die for non-interfering interfacing with optical or electrical devices.
(FR)Capteur micromécanique présentant une micropoutre en polysilicium solidaire d'une membrane, ce qui permet d'obtenir une fréquence de la micropoutre correspondant directement à la pression appliquée à la surface extérieure de la membrane. La fabrication de ce capteur résonant à micropoutre ne comporte aucun traitement de l'envers de la tranche et met en application un procédé et une implantation indépendants de l'épaisseur de la tranche, afin de conférer au capteur une résistance et une capacité élevées. A la fois la membrane et la micropoutre résonante sont constituées par du polysilicium. Ce capteur peut comporter plus d'une micropoutre résonante. On peut commander et détecter ces micropoutres au moyen de mécanismes électriques ou optiques. On peut placer ce capteur sur une semelle en silicium monocristallin en porte-à-faux afin de l'isoler des contraintes. On peut le placer dans un creux sur la matrice isolante, de manière à le mettre en contact exempt de parasites avec les dispositifs optiques ou électriques.
Designated States: CA, JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)