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1. (WO1998028798) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELECTIVELY DIFFUSED REGIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/028798    International Application No.:    PCT/EP1997/007246
Publication Date: 02.07.1998 International Filing Date: 22.12.1997
Chapter 2 Demand Filed:    24.06.1998    
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: IMEC VZW [BE/BE]; Kapeldreef 75, B-3001 Leuven-Heverlee (BE) (For All Designated States Except US).
HORZEL, Jörg [DE/BE]; (BE) (For US Only).
HONORE, Mia [BE/BE]; (BE) (For US Only).
NIJS, Johan [BE/BE]; (BE) (For US Only).
SZLUFCIK, Jozef [PL/BE]; (BE) (For US Only)
Inventors: HORZEL, Jörg; (BE).
HONORE, Mia; (BE).
NIJS, Johan; (BE).
SZLUFCIK, Jozef; (BE)
Agent: BIRD, Ariane; Vilvoordsebaan 92, B-3020 Winksele (BE)
Priority Data:
96120865.9 24.12.1996 EP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELECTIVELY DIFFUSED REGIONS
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DOTE DE ZONES DIFFUSEES DE FAÇON SELECTIVE
Abstract: front page image
(EN)The present invention describes a method of manufacturing a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate (2) in the shape of a slice, the method comprising the steps of: step 1) selectively applying a pattern of a solids-based dopant source to a first major surface of said semiconducting substrate (2); step 2) diffusing the dopant atoms from said solids-based dopant source into said substrate (2) by a controlled heat treatment step in a gaseous environment surrounding said semi-conducting substrate (2), the dopant from said solids-based dopant source diffusing directly into said substrate (2) to form a first diffusion region (12) and, at the same time, diffusing said dopant from said solids-based dopant source indirectly via said gaseous environment into said substrate (2) to form a second diffusion region (15) in at least some areas of said substrate (2) not covered by said pattern; and step 3) forming a metal contact pattern (20) substantially in alignment with said first diffusion region (12) without having etched said second diffusion region (15) substantially.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant un substrat semi-conducteur (2) en forme de tranche, ce procédé comportant les étapes consistant à: étape 1) appliquer de façon sélective un motif d'une source d'impuretés solides à une première surface principale dudit substrat semi-conducteur (2); étape 2) diffuser les atomes de dopage provenant de ladite source d'impuretés solides à l'intérieur dudit substrat (2) par une étape de traitement thermique régulé dans un environnement gazeux dans lequel se trouve ledit substrat semi-conducteur (2), les impuretés provenant de ladite source d'impuretés solides se diffusant directement à l'intérieur dudit substrat (2) pour former une première zone de diffusion (12) et, simultanément, diffuser lesdites impuretés provenant de ladite source d'impuretés solides de manière indirecte via ledit environnement gazeux, à l'intérieur dudit substrat (2) pour former une deuxième zone de diffusion (15) dans quelques zones au moins dudit substrat (2) non couvertes par ledit motif; et étape 3) former un motif de contact métallique (20) sensiblement aligné avec ladite première zone de diffusion (12) sans avoir gravé sensiblement ladite deuxième zone de diffusion (15).
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)