WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1998018158) POLYSILICON PLUG SRAM LOAD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/018158    International Application No.:    PCT/US1997/008091
Publication Date: 30.04.1998 International Filing Date: 12.05.1997
Chapter 2 Demand Filed:    25.02.1998    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventors: WOLLESEN, Donald, L.; (US)
Agent: RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
WRIGHT, Hugh, Ronald; Brookes & Martin, "Association No. 14", High Holborn House, 52/54 High Holborn, London WC1V 6SE (GB)
Priority Data:
08/735,463 23.10.1996 US
Title (EN) POLYSILICON PLUG SRAM LOAD
(FR) FICHE AU SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEE POUR SERVIR DE CHARGE DANS UNE MEMOIRE RAM STATIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing a polysilicon plug in an integrated circuit semiconductor device wherein the polysilicon plug is selectively doped to act as a resistive load or alternatively to act as a diode load. The polysilicon load can be used in an SRAM memory cell.
(FR)L'invention a trait à un procédé de fabrication de fiche au silicium polycristallin dans un dispositif à semi-conducteur à circuit intégré. Dans le cadre de ce procédé, la fiche au silicium polycristallin est dopée de manière à agir comme charge résistive ou comme diode. La charge au silicium polycristallin peut être utilisée dans une cellule mémoire RAM statique.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)