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1. (WO1998015980) HYBRID HIGH-POWER INTEGRATED CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/015980    International Application No.:    PCT/RU1996/000293
Publication Date: 16.04.1998 International Filing Date: 10.10.1996
IPC:
H01L 23/367 (2006.01)
Applicants: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-3 dong, Paidal-ku, Suwon-City, Gyungki-do (KR) (For All Designated States Except US).
IOVDALSKY, Viktor Anatolievich [RU/RU]; (RU)
Inventors: IOVDALSKY, Viktor Anatolievich; (RU)
Agent: ROSLOV, Vladimir Nikolaevich; "Europe + Asia", Rauschskaya nab., 4/5, Moscow, 113834 (RU)
Priority Data:
Title (EN) HYBRID HIGH-POWER INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE HYBRIDE ET DE GRANDE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)A hybrid high-power integrated circuit includes a dielectric board (1) that comprises a metallic coating on both sides. The front side of the board comprises a metallisation layout pattern (2), while at least one mounting surface (3) is formed in a recess (4) on the front side of the board (1) on the radiator (5). The crystal (9) of an unpackaged electronic device is placed on and attached to the mounting surface (3) so that the front surface of said crystal (9) is on the same plane as the metallisation layout pattern (2). The radiator (5) consists of a system comprising a plurality of blind openings (6) which are formed in the bottom of the recesses (4) and filled with a thermo-conductive material (10). The remaining thickness at the bottom of the blind openings (6) ranges from 1 to 999 $g(m)m, while the gaps between the crystal (9) and the side walls of the recess (4) are filled at least partially with a binding thermo-conductive material (10). The back side of the board (1) is further connected to a thermo-conductive base (7).
(FR)Cette invention concerne un circuit qui comprend une plaquette diélectrique (1) dont les deux côtés comportent un revêtement métallique. Le côté avant comporte un diagramme de métallisation (2), une ou plusieurs surfaces de montage (3) étant formées dans un renfoncement (4) sur le côté avant de la plaquette (1) et sur le radiateur (5). Le cristal (9) d'un dispositif électronique nu est disposé et fixé sur la surface de montage (3) de manière à ce que la surface avant du cristal (9) se trouve sur le même plan que le diagramme de métallisation (2). Le radiateur (5) consiste en un système d'ouvertures borgnes (6) qui sont pratiquées dans le fond des renfoncements (4), et qui sont remplies d'un matériau thermoconducteur (10). L'épaisseur restante du fond des ouvertures borgnes (6) varie de 1 à 999 $g(m)m. Les espaces séparant le cristal (9) des parois latérales du renfoncement (4) sont remplis, en partie au moins, d'un matériau adhésif thermoconducteur (10). Le côté arrière de la plaquette (1) est quant à lui connecté à une base thermoconductrice (7).
Designated States: JP, KR, RU, US.
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)