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1. (WO1998015012) CAPACITOR WITH AN OXYGEN BARRIER LAYER AND A FIRST BASE METAL ELECTRODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/015012    International Application No.:    PCT/DE1997/002132
Publication Date: 09.04.1998 International Filing Date: 19.09.1997
Chapter 2 Demand Filed:    02.04.1998    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 29/92 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
HARTNER, Walter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHINDLER, Günther [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MAZURE-ESPEJO, Carlos [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HARTNER, Walter; (DE).
SCHINDLER, Günther; (DE).
MAZURE-ESPEJO, Carlos; (DE)
Priority Data:
196 40 243.3 30.09.1996 DE
Title (DE) KONDENSATOR MIT EINER SAUERSTOFF-BARRIERESCHICHT UND EINER ERSTEN ELEKTRODE AUS EINEM NICHTEDELMETALL
(EN) CAPACITOR WITH AN OXYGEN BARRIER LAYER AND A FIRST BASE METAL ELECTRODE
(FR) CONDENSATEUR DOTE D'UNE COUCHE-BARRIERE EMPECHANT LA DIFFUSION DE L'OXYGENE ET D'UNE PREMIERE ELECTRODE CONSTITUEE D'UN METAL COMMUN
Abstract: front page image
(DE)Bei einem Kondensator mit einer Hoch-$g(e)-Dielektrischen oder ferroelektrischen Schicht als Kondensatordielektrikum und einer ersten Elektrode, die im wesentlichen aus einem edelmetallfreien leitfähigen Material besteht, ist zwischen Kondensatordielektrikum und erster Elektrode eine Barriereschicht zur Unterdrückung von Sauerstoffdiffusion angeordnet. Auf diese Weise können bekannte Materialien wie Polysilizium oder Aluminium als Elektrodenmaterial mit einem Hoch-$g(e)-Dielektrikum oder Ferroelektrikum integriert werden.
(EN)A capacitor with a high $g(e) dialectric or ferroelectric layer as a capacitor dialectric and a first electrode, substantially made out of conductive material free from noble metal. A barrier layer to suppress oxygen diffusion is placed between the capacitor dialectric and the first electrode. Known materials such as polysilicon or aluminium can thus be integrated as electrode material with high $g(e) dielectric or ferrorelectric properties.
(FR)Condensateur doté d'une couche hautement $g(e)-diélectrique ou ferroélectrique en tant que diélectrique de condensateur et d'une première électrode qui est constituée pour l'essentiel d'un matériau conducteur exempt de métaux nobles. Une couche-barrière destinée à empêcher la diffusion de l'oxygène est placée entre le diélectrique et la première électrode. On peut ainsi intégrer des matériaux connus tels que le silicium polycristallin ou l'aluminium en tant que matériau d'électrode à propriétés hautement $g(e)-diélectriques ou ferroélectriques.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)