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1. (WO1998015006) CIRCUIT ISOLATION IN AN INTEGRATED CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/015006    International Application No.:    PCT/GB1997/001465
Publication Date: 09.04.1998 International Filing Date: 29.05.1997
Chapter 2 Demand Filed:    21.03.1998    
IPC:
H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: LSI LOGIC CORPORATION [US/US]; 2001 Danfield Court, Fort Collins, CO 80525-2998 (US).
GILL, David, Alan [GB/GB]; (GB) (MG only)
Inventors: BARTLETT, Donald, M.; (US)
Agent: GILL, David, Alan; W.P. Thompson & Co., Celcon House, 289-293 High Holborn, London WC1V 7HU (GB)
Priority Data:
08/720,595 30.09.1996 US
Title (EN) CIRCUIT ISOLATION IN AN INTEGRATED CIRCUIT
(FR) ISOLATION DE CIRCUIT DANS UN CIRCUIT INTEGRE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides for an integrated circuit (200) having a substrate (215) and at least two circuits, such as a digital circuit (210) and an analog circuit (230). The substrate is preferably derived from a bulk substrate wafer. The integrated circuit (200) preferably comprises at least two islands (212, 214) in the substrate (215) for noise isolation between the circuits (210, 230). The two islands (212, 214) are buried-layers that are implanted, by preference, using conventional MeV techniques. A method of manufacturing an integrated circuit is also provided, in which the integrated circuit includes a substrate and at least two circuits. The method comprises the step of implanting at least two islands (210, 214) in the substrate (215) for noise isolation between the circuits (210, 230). The implanting is accomplished by conventional masking and high-energy implantation, such as MeV.
(FR)La présente invention concerne un circuit intégré (200) présentant un substrat (215) et au moins deux circuits, tels qu'un circuit numérique (210) et un circuit analogique (230). Le substrat est, de préférence, dérivé d'une tranche de substrat en vrac. Le circuit intégré (200) comprend, de préférence, au moins deux îlots (212, 214) dans le substrat (215) pour assurer l'isolation contre le bruit entre les circuits (210, 230). Ces deux îlots (212, 214) sont des couches enterrées qui sont implantées, de préférence, à l'aide de techniques de MeV classiques. L'invention traite aussi d'un procédé de fabrication d'un circuit intégré dans lequel le circuit intégré comprend un substrat et au moins deux circuits. Ce procédé comprend l'étape consistant à implanter au moins deux îlots (210, 214) dans le substrat (215) pour assurer l'isolation du bruit entre les circuits (210, 230). L'implantation est réalisée par un masquage classique et une implantation haute énergie, comme la technique de MeV.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)