WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1998014999) VARIABLE HIGH TEMPERATURE CHUCK FOR HIGH DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/014999    International Application No.:    PCT/US1997/017576
Publication Date: 09.04.1998 International Filing Date: 30.09.1997
Chapter 2 Demand Filed:    29.04.1998    
IPC:
H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US)
Inventors: MCMILLIN, Brian; (US).
BARNES, Michael; (US).
BERNEY, Butch; (US).
NGUYEN, Huong; (US)
Agent: JONES, Harry, C., III; Pennie & Edmonds LLP, 1155 Avenue of the Americas, New York, NY 10036 (US)
Priority Data:
08/724,005 30.09.1996 US
Title (EN) VARIABLE HIGH TEMPERATURE CHUCK FOR HIGH DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) MANDRIN A TEMPERATURES ELEVEES VARIABLES DESTINE A UN DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR PLASMA HAUTE DENSITE
Abstract: front page image
(EN)An electrostatic chuck (100) comprises an electrode cap (1) with a dielectric layer (1c) for attracting and holding the back side of a semiconductor wafer (4) positioned on the top surface of the dielectric layer (1c), and a lower electrode (2). The electrostatic chuck (100) is heated by resistive heating elements (10) attached to or embedded within the chuck (100). The electrostatic chuck (100) is cooled by circulating liquid coolant through channels (6, 6a) in the body of the chuck. Coolant gas is provided through channels (5, 5a, 5b) at the back side of the semiconductor wafer (4) to improve thermal transfer. A feedback control mechanism maintains the chuck, and consequently the wafer, at a predetermined temperature by actively controlling both the heating and the coooling functions.
(FR)Ce mandrin électrostatique (100) comprend un capuchon d'électrode (1) pourvu d'une couche diélectrique (1c) destinée à attirer et maintenir le côté inférieur d'une plaquette de semi-conducteur (4) placée sur la surface supérieure de ladite couche (1c), ainsi qu'une électrode inférieure (2). On chauffe ce mandrin électrostatique (100) au moyen d'éléments de chauffage résistifs (10), fixés sur le mandrin (100) ou encastrés dans celui-ci. On refroidit le mandrin (100) en faisant circuler un liquide de refroidissement à travers des canalisations (6, 6a) placées dans le corps du mandrin. On fait circuler un gaz réfrigérant dans des conduites (5, 5a, 5b) situées du côté inférieur de la plaquette (4), afin d'améliorer le transfert thermique. Un mécanisme de commande de rétroaction maintient le mandrin, et par conséquence la plaquette, à une température déterminée, par commande active à la fois des fonctions de chauffage et de refroidissement.
Designated States: AL, AM, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CN, CU, CZ, EE, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LT, LV, MD, MG, MK, MN, MX, NO, NZ, PL, RO, RU, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UZ, VN, YU.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)