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1. (WO1998000861) METHODS AND APPARATUSES FOR CLAMPING AND DECLAMPING A SEMICONDUCTOR WAFER IN A WAFER PROCESSING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/000861    International Application No.:    PCT/US1997/011340
Publication Date: 08.01.1998 International Filing Date: 27.06.1997
Chapter 2 Demand Filed:    28.01.1998    
IPC:
H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US) (For All Designated States Except US).
KUBLY, Marc, B. [US/US]; (US) (For US Only).
BENJAMIN, Neil, Martin, Paul [GB/US]; (US) (For US Only).
GERMAIN, Steven, D. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KUBLY, Marc, B.; (US).
BENJAMIN, Neil, Martin, Paul; (US).
GERMAIN, Steven, D.; (US)
Agent: NGUYEN, Joseph, A.; Hickman Beyer & Weaver, P.O. Box 61059, Palo Alto, CA 94306 (US)
Priority Data:
08/671,752 28.06.1996 US
Title (EN) METHODS AND APPARATUSES FOR CLAMPING AND DECLAMPING A SEMICONDUCTOR WAFER IN A WAFER PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE SERRAGE ET DE DESSERRAGE D'UNE PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEURS DANS UN SYSTEME DE FONDERIE DE SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A method for clamping a wafer to an electrostatic chuck having a substantially resistive dielectric layer disposed thereon. The method includes the step of providing a build-up voltage having a first polarity to a pole of the electrostatic chuck to cause a potential difference to build up between a first region of the substantially resistive dielectric layer and a second region of the wafer that overlies at least a portion of the first region. This potential difference gives rise to a clamping force to clamp the wafer to the electrostatic chuck. The method further includes the step of terminating the build-up voltage when the clamping force substantially reaches a predefined level. There is further included the step of providing a holding voltage to the pole of the electrostatic chuck to substantially maintain the clamping force at the predefined level. This holding voltage has the first polarity and a magnitude that is lower than a magnitude of the build-up voltage. There is further included the step of providing a declamping voltage to the pole of the electrostatic chuck to substantially remove the clamping force, the declamping voltage having a polarity that is opposite to the first polarity.
(FR)La présente invention concerne un procédé de serrage d'une plaquette contre un mandrin électrostatique sur lequel a été déposée une couche diélectrique sensiblement résistive. Le procédé consiste à créer une tension d'amorce caractérisée par une première polarité orientée vers un pôle du mandrin électrostatique de façon à générer une différence de potentiel entre une première région de la couche diélectrique sensiblement résistive et une seconde région de la plaquette recouvrant au moins partiellement une partie de la première région. La différence de potentiel génère une force de serrage permettant le serrage de la plaquette contre le mandrin électrostatique. Le procédé, qui consiste alors à compléter la tension d'amorce une fois que la force de serrage a atteint un niveau défini, consiste ensuite à assurer au pôle du mandrin électrostatique une tension de maintien permettant sensiblement d'entretenir la force de serrage au niveau défini. Cette tension de maintien est caractérisée par une première polarité et une grandeur inférieure à la grandeur de la tension d'amorce. Le procédé consiste enfin à réaliser au pôle du mandrin électrostatique une tension de desserrage permettant d'annuler sensiblement la force de serrage, la tension de desserrage étant de polarité contraire à celle de la première polarité.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)