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1. (WO1998000857) UTILIZATION OF MISCUT SUBSTRATES TO IMPROVE RELAXED GRADED SILICON-GERMANIUM AND GERMANIUM LAYERS ON SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1998/000857 International Application No.: PCT/US1997/010765
Publication Date: 08.01.1998 International Filing Date: 20.06.1997
Chapter 2 Demand Filed: 23.01.1998
IPC:
C30B 25/18 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY[US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139, US
Inventors: FITZGERALD, Eugene, A.; US
SAMAVEDAM, Srikanth, B.; US
Agent: CONNORS, Matthew, E. ; Samuels, Gauthier, Stevens & Reppert Suite 3300 225 Franklin Street Boston, MA 02110, US
HAMMOND Andrew; Albihn West AB Box142 S-401 22 Göteborg, SE
Priority Data:
08/806,74127.02.1997US
60/020,82028.06.1996US
Title (EN) UTILIZATION OF MISCUT SUBSTRATES TO IMPROVE RELAXED GRADED SILICON-GERMANIUM AND GERMANIUM LAYERS ON SILICON
(FR) EMPLOI DE SUBSTRATS MAL COUPES POUR ACCROITRE LA TENUE DE COUCHES RELAXEES A TENEUR ECHELONNEE DE SILICIUM-GERMANIUM ET DE GERMANIUM SUR LE SILICIUM
Abstract:
(EN) A method of processing semiconductor materials, including providing a monocrystalline silicon substrate (12) having a (001) crystallographic surface orientation; off-cutting the substrate to an orientation from about 2° to about 6° offset towards the (110) direction; and epitaxially growing a relaxed graded layer of a crystalline GeSi (14) on the substrate (12) and the structure obtained by the method.
(FR) L'invention porte sur un procédé de traitement de matériaux conducteurs consistant, partant d'un substrat de silicium monocristallin (12) présentant une orientation (001) cristallographique superficielle, à découper le substrat selon un angle d'environ 2° à environ 6° avec la direction (110); et à déposer épitaxialement une couche relaxée à teneur échelonnée de GeSi (14) sur le substrat (12). L'invention porte également sur la structure ainsi obtenue.
Designated States: CA, JP, KR
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)