WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1998000738) OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH DEEP RIDGED WAVEGUIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1998/000738    International Application No.:    PCT/EP1997/003584
Publication Date: 08.01.1998 International Filing Date: 26.06.1997
IPC:
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01)
Applicants: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE [FR/FR]; 54, rue La Boétie, F-75008 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
DÜTTING, Kaspar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KÜHN, Edgar [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: DÜTTING, Kaspar; (DE).
KÜHN, Edgar; (DE)
Agent: SCHÄTZLE, Albin; Alcatel Alsthom, Intellectual Property Dept., Postfach 300 929, D-70449 Stuttgart (DE)
Priority Data:
196 26 130.9 28.06.1996 DE
Title (DE) OPTISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT TIEFEM RIPPENWELLENLEITER
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH DEEP RIDGED WAVEGUIDE
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE A GUIDE D'ONDES NERVURE PROFOND
Abstract: front page image
(DE)In der digitalen optischen Nachrichtenübertragung werden optische Halbleiterbauelemente eingesetzt, die einen Übergangsbereich zur Aufweitung des Modenfeldes einer Lichtwelle aufweisen, um Kopplungsverluste bei der Ankopplung an eine optische Faser oder einen optischen Wellenleiter einer Trägerplatte zu vermindern. Ein optisches Halbleiterbauelement enthält auf einem Substrat (SUB) angeordnet einen tiefen Rippenwellenleiter (RIDGE) mit einer Deckschicht (DS). Der Rippenwellenleiter (RIDGE) hat einen ersten (MQW) und einen zweiten (BULK) Wellenleiterkern, die von einer Separationsschicht (SEP) getrennt sind. Die Schichtdicke dieser Separationsschicht nimmt in einem Übergangsbereich (UB1) entlang einer Längsrichtung (L) des Rippenwellenleiters (RIDGE) zu, wodurch sich der vertikale Abstand der beiden Wellenleiterkerne (MQW, BULK) vergrößert.
(EN)Digital optical telecommunication uses optical semiconductor components having a transition region for the expansion of the mode field of a light wave in order to reduce losses when coupling to an optical fibre or an optical waveguide of a supporting plate. An optical semiconductor component contains a deep ridged waveguide (RIDGE) with a surfacing (DS) disposed on a substrate (SUB). The ridged waveguide (RIDGE) has a first (MQW) and a second (BULK) waveguide centre, these being separated by a separating layer (SEP). The thickness of this separating layer increases in a transition region (UB1) along a longitudinal direction (L) of the ridged waveguide (RIDGE), thus increasing the vertical distance between the two waveguide centres (MQW, BULK).
(FR)En télécommunication optique numérique, on utilise des composants semi-conducteurs optiques présentant une région de transition pour l'expansion du champ multimode d'une onde lumineuse, en vue de réduire les pertes lors du couplage à une fibre optique ou à un guide d'ondes optique d'une plaque support. Un composant semi-conducteur optique renferme un guide d'ondes nervuré profond (RIDGE) avec une couche de recouvrement (DS), disposé sur un substrat (SUB). Le guide d'ondes nervuré (RIDGE) présente un premier (MQW) et un deuxième (BULK) centres de guide d'ondes, séparés par une couche de séparation (SEP). L'épaisseur de cette couche de séparation s'accroît dans une région de transition (UB1) dans une direction longitudinale (L) du guide d'ondes nervuré (RIDGE), ce qui permet d'accroître la distance verticale entre les deux centres de guide d'ondes (MQW, BULK).
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)