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1. (WO1997040560) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/040560    International Application No.:    PCT/IB1997/000372
Publication Date: 30.10.1997 International Filing Date: 08.04.1997
IPC:
H01S 5/00 (2006.01), H01L 33/30 (2010.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/223 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01)
Applicants: PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventors: VALSTER, Adriaan; (NL).
BROUWER, Arnoud, Adrianus; (NL)
Agent: SMEETS, Eugenius, T., J., M.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
96201102.9 24.04.1996 EP
Title (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) DIODE A SEMI-CONDUCTEUR EMETTRICE DE RAYONNEMENT ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a radiation-emitting semiconductor diode in the InGaP/InAlGaP material system having a barrier (4A) for charge carriers situated between the active layer (2) and one of the cladding layers (1, 3). Such a diode has an emission wavelength between 0.6 and 0.7 $g(m)m and is particularly suitable, when constructed as a diode laser, for serving as a radiation source in, for example, a system for reading and/or writing of optical discs, also because of an increased efficiency. A disadvantage of the known diode is that it is still insufficiently capable of providing a high optical power, and that it cannot be manufactured with a high yield and a satisfactory reproducibility. In a diode according to the invention, the barrier (4A) comprises only a single barrier layer (4) of AlP. Such a diode is found to have a surprisingly high efficiency as well as a particularly long useful life. The efficiency of the diode is approximately 30 % higher than that of a comparable diode without a barrier layer (4). The life of a diode according to the invention is very long, for example, 4,000 hours. Since the problem of controlling the composition of the barrier layer (4) is nonexistent in providing the AlP, the diode according to the invention can be manufactured with a good reproducibility and high yield. The AlP barrier layer (4) preferably has a thickness smaller than 5 nm, for example 2.5 nm. It is highly suprising that such a very small thickness of the barrier layer (4) is still accompanied by an excellent effectiveness as a barrier (4A).
(FR)Cette invention se rapporte à une diode à semi-conducteur émettrice de rayonnement ayant la structure de matériau InGaP/InAlGaP, avec une barrière (4A) pour les porteurs de charge située entre la couche active (2) et l'une des couches de revêtement (1, 3). Une telle diode possède une longueur d'ondes d'émission comprise entre 0,6 et 0,7 $g(m)m et elle est particulièrement indiquée, lorsqu'elle est construite comme laser à diode, pour servir de source de rayonnement notamment dans un système de lecture et/ou d'écriture de disques optiques, également en raison d'une efficacité accrue. L'un des désavantanges des diodes connues réside dans le fait qu'elles sont insuffisamment capables de fournir une puissance optique élevée et qu'elles ne peuvent pas être fabriquées avec un rendement élevé et une reproductibilité satisfaisante. Dans une diode de cette invention, la barrière (4A) comprend une seule couche barrière (4) de AlP. On a découvert qu'elle telle diode possède une efficacité étonamment élevée ainsi qu'une durée de vie particulièrement longue. L'efficacité de cette diode est approximativement 30 % supérieure à celle d'une diode comparable sans couche barrière (4). La durée de vie d'une diode de cette invention est très longue, par exemple 4000 heures. Etant donné que le problème de régulation de composition de la couche barrière (4) est non existant pour créer la couche de AlP, la diode de cette invention peut être fabriquée avec une bonne reproductibilité et un rendement élevé. La couche barrière de AlP (4) comporte de préférence une épaisseur inférieure à 5 nm, par exemple 2,5 nm. Il est très surprenant qu'une épaisseur si petite de la couche barrière (4) continue d'être accompagnée par une excellente efficacité en tant que barrière (4A).
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)