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1. (WO1997040533) INSULATING FILM FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/040533    International Application No.:    PCT/JP1997/001378
Publication Date: 30.10.1997 International Filing Date: 22.04.1997
IPC:
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210 (JP) (For All Designated States Except US).
SONODA, Masahisa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHUTO, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Miwa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IDAKA, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUNODA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAKI, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SONODA, Masahisa; (JP).
SHUTO, Susumu; (JP).
TANAKA, Miwa; (JP).
IDAKA, Toshiaki; (JP).
TSUNODA, Hiroaki; (JP).
ARAKI, Hitoshi; (JP)
Agent: SUZUYE, Takehiko; Suzuye & Suzuye, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP)
Priority Data:
8/100977 23.04.1996 JP
Title (EN) INSULATING FILM FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FILM ISOLANT DESTINE A UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)In manufacturing a CVD film (interlayer insulating film or passivation film) using material gases containing a gas having Si-H combination, the amount of Si-H combination in the CVD film (12, 31, 32, 33, 34, 47, 48, 49, 57, 59) is set to 0.6 x 10?21¿cm?-3¿ or less to thereby suppress the formation of electron traps in the gate oxide film or tunnel oxide film and prevent variations in the threshold of transistors. In addition, the moisture resistance can be improved by setting the refractive index of the CVD film to 1.65 or more or by setting the concentration of nitrogen in the CVD film to 3 x 10?21¿cm?-3¿ or more.
(FR)L'invention concerne la fabrication d'un film formé par dépôt chimique en phase vapeur (film isolant intercouche ou film de passivation), au moyen de produits gazeux contenant un gaz ayant des fonctions Si-H. Dans le procédé de l'invention, la quantité de fonctions Si-H dans le film formé par dépôt chimique en phase vapeur (12, 31, 32, 33, 34, 47, 48, 49, 57, 59) est ajustée à 0,6 x 10?21¿cm?-3¿ ou moins, ce qui permet de supprimer la formation de pièges à électrons dans le film d'oxyde de la grille, ou le film d'oxyde du tunnel et d'empêcher les variations de seuil des transistors. En outre, on peut augmenter la résistance à l'humidité en ajustant l'indice de réfraction du film formé par dépôt en phase vapeur à 1,65 ou plus, ou en ajustant la concentration en azote dans le film formé par dépôt en phase vapeur à 3 x 10?21¿cm?-3¿ ou plus.
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (DE, FR, GB, IT).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)