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1. (WO1997040526) AN IMAGE REVERSAL TECHNIQUE FOR FORMING SMALL STRUCTURES IN INTEGRATED CIRCUITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/040526    International Application No.:    PCT/US1997/000961
Publication Date: 30.10.1997 International Filing Date: 04.02.1997
Chapter 2 Demand Filed:    06.11.1997    
IPC:
H01L 21/033 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventors: STOLMEIJER, Andre; (US)
Agent: RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
PICKER, Madeline, M.; Brookes & Martin, "Association No. 14", High Holborn House, 52/54 High Holborn, London, WC1V 6SE (GB)
Priority Data:
08/635,988 22.04.1996 US
Title (EN) AN IMAGE REVERSAL TECHNIQUE FOR FORMING SMALL STRUCTURES IN INTEGRATED CIRCUITS
(FR) TECHNIQUE D'INVERSION D'IMAGE PERMETTANT DE FORMER DE PETITES STRUCTURES DANS DES CIRCUITS INTEGRES
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a method for fabricating small structures to be employed in integrated circuits formed on a semiconductor substrate (12). Examples of such small structures include contacts, vias, and metal lines. The method of the present invention employs an image reversal technique to obtain improved feature definition. In forming a feature (28) in a layer of material (16), a clear field reticle is used to form patterned segments of photoresist (18) each having a size, a shape, and a location substantially identical to the size, the shape, and the location of one of the features (28) intended to be formed in the layer of material (16). This method is employed instead of using a dark field reticle which forms windows in a photoresist each having a size, a shape, and a location substantially identical to the size, the shape, and the location of one of the features (28) intended to be formed in the layer of material (16). For small structures, the openings or windows in a photoresist are harder to form than the patterned segments of photoresist (18). With the method of the present invention which employs a clear field reticle to form a mask comprising patterned segments of photoresist (18), the limitations of patterning small windows in a photoresist with the use of a dark field reticle are avoided. The accuracy of forming the small structures is thus improved.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de fabriquer de petites structures destinées à des circuits intégrés formés sur un substrat semi-conducteur (12), telles que des contacts, des traversées et des lignes métalliques. Dans ledit procédé, on utilise une technique d'inversion d'image afin d'obtenir une meilleure définition des détails. Pour former un détail (28) sur une couche de matériau (16), on utilise un réticule à fond clair qui crée des motifs de photorésist (18) dont la taille, la forme et la localisation sont relativement identiques à la taille, la forme et la localisation des détails (28) à former sur la couche de matériau (16). Ledit procédé est utilisé au lieu d'un réticule à fond sombre qui crée dans un photorésist des fenêtres relativement identiques par leur taille, leur forme et leur localisation aux détails (28) à former sur la couche de matériau (16). Pour les petites structures, il est plus difficile de créer des ouvertures ou fenêtres dans le photorésist que de former des segments à motif de photorésist (18). Le procédé de la présente invention, dans lequel un réticule à fond clair est utilisé pour former un masque comprenant les segments à motif de photorésist (18), permet d'éviter les limitations imposées par la méthode qui consiste à créer de petites fenêtres dans un photorésist au moyen d'un réticule à fond sombre, et d'améliorer de la sorte la précision des petites structures.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)