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1. (WO1997040500) SEMICONDUCTOR MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/040500    International Application No.:    PCT/JP1997/001267
Publication Date: 30.10.1997 International Filing Date: 11.04.1997
IPC:
G11C 11/22 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Saiwaicho, Takatsuki-shi, Osaka 569 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKANE, Joji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORIWAKI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKANE, Joji; (JP).
MORIWAKI, Nobuyuki; (JP)
Agent: MATSUDA, Masamichi; Shin-Osaka Ikushima Building, 1-3, Miyahara 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 532 (JP)
Priority Data:
8/98269 19.04.1996 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A nonvolatile ferroelectric semiconductor memory to which rewrite can be performed stably without losing data of a low logical voltage in memory cells. In the memory, for example, diodes (1 and 2) are connected to cell plate lines (39 and 40) as shown in the figure. When rewrite is performed, therefore, the transient phenomenon that the voltage at the cell plate line (39) temporarily changes to a negative overvoltage (for example, below -1 V), causing the data to be lost, is prevented.
(FR)Cette invention concerne une mémoire non volatile, ferroélectrique et à semi-conducteur, mémoire sur laquelle une réécriture peut être effectuée de manière stable et sans que l'on perde des données de faible tension logique dans les cellules de mémoire. Dans cette mémoire, les diodes (1 et 2) peuvent par exemple être connectées aux lignes (39 et 40) de plaques de cellules, tel que l'illustre la figure. Une fois la réécriture effectuée, il est ainsi possible d'éviter le phénomène de transition durant lequel la tension au niveau de la ligne (39) de la plaque de la cellule se transforme temporairement en une surtension négative (par exemple, inférieure à -1 V), entraînant ainsi une perte des données.
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)