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1. (WO1997039488) GEOMETRICALLY ENHANCED MAGNETORESISTANCE IN TRILAYER TUNNEL JUNCTIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1997/039488 International Application No.: PCT/US1997/006247
Publication Date: 23.10.1997 International Filing Date: 15.04.1997
Chapter 2 Demand Filed: 08.10.1997
IPC:
G01R 33/09 (2006.01) ,G11B 5/00 (2006.01) ,G11B 5/012 (2006.01) ,G11B 11/10 (2006.01) ,G11C 11/15 (2006.01) ,H01F 10/32 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: MOODERA, Jagadeesh, S.[US/US]; US (UsOnly)
NOWAK, Janusz[PL/US]; US (UsOnly)
KINDER, Lisa[US/US]; US (UsOnly)
LE CLAIR, Patrick, R.[US/US]; US (UsOnly)
MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY[US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139, US (AllExceptUS)
Inventors: MOODERA, Jagadeesh, S.; US
NOWAK, Janusz; US
KINDER, Lisa; US
LE CLAIR, Patrick, R.; US
Agent: REYNOLDS, Leo, R. ; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds Two Militia Drive Lexington, MA 02173, US
Priority Data:
08/747,15208.11.1996US
60/015,79817.04.1996US
Title (EN) GEOMETRICALLY ENHANCED MAGNETORESISTANCE IN TRILAYER TUNNEL JUNCTIONS
(FR) MAGNETORESISTANCE ACCRUE GEOMETRIQUEMENT DANS DES JONCTIONS TUNNEL A TROIS COUCHES
Abstract:
(EN) Ferromagnetic-insulator-ferromagnetic trilayer junctions show magnetoresistance (JMR) effects ranging from about 16 % to several hundred percent at room temperature. Larger effects are observed when the actual tunneling resistance (RT) is comparable to electrode film resistance (RL) over the junction area in cross-geometry junction measurements. The geometrically enhanced large JMR can be qualitatively explained by the nonuniform current flow over the function area when RT is comparable to RL, in the cross-geometry junction structure. For a fixed junction area, the effective junction resistance (RJ) can be varied from less than 1 ohm to several kilohms by controlling the thickness of the insulating layer or by appropriately selecting ferromagnetic films. The trilayer tunnel junctions of the present invention are nonvolatile, stable and are reproducible.
(FR) L'invention concerne des jonctions composées de trois couches, une couche ferromagnétique, une couche isolante et une autre couche ferromagnétique. Ces jonctions présentent des effets de magnétorésistance allant d'environ 16 % à plusieurs centaines de pour-cent à température ambiante. Des effets accrus sont observés lorsque la résistance à l'effet tunnel (RT) effective est comparable à la résistance du film électrode (RL) sur la zone jonction dans des segments de jonction de section transversale. La magnétorésistance accrue géométriquement peut être expliquée quantitativement par la présence de courant non uniforme sur la zone de jonction quand RT est comparable à RL, dans le segment de section transversale. Pour une zone de jonction fixe, la résistance de jonction (RJ) effective peut être modifiée de moins de 1 ohm à plusieurs kilo-ohms par variation de l'épaisseur de la couche isolante ou par sélection de manière appropriée de couches ferromagnétiques. Les jonctions tunnel à trois couches de la présente invention sont non volatiles, stables et reproductibles.
Designated States: CA, JP, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)