WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1997039480) TWO-STEP PROJECTING BUMP FOR SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR FORMING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/039480    International Application No.:    PCT/JP1997/001311
Publication Date: 23.10.1997 International Filing Date: 16.04.1997
Chapter 2 Demand Filed:    25.09.1997    
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571 (JP) (For All Designated States Except US).
TSUKAHARA, Norihito [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TSUKAHARA, Norihito; (JP)
Agent: AOYAMA, Tamotsu; Aoyama & Partners, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540 (JP)
Priority Data:
8/95774 18.04.1996 JP
Title (EN) TWO-STEP PROJECTING BUMP FOR SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) BOSSE SAILLANTE A DEUX ETAGES POUR PUCE A SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A two-step projecting bump which is formed on an electrode (4) of a semiconductor chip (8) by melting the end of a metallic wire (1) passed through a capillary (3) to form a metallic ball (2), bonding the ball (2) to the electrode (4), laterally moving and then lowering the capillary (3), welding the wire (1) to the top of the ball (2) bonded to the electrode (4), and tearing off the wire (1). A section (B) in which large crystal grains are grown by the thermal effect of the heat applied to the wire (1) at the time of melting the wire (1) and forming the ball (2) is formed in the joining section of the wire (1) with the ball (2) immediately above the ball (2).
(FR)Cette invention concerne une bosse saillante à deux étages, laquelle est formée sur l'électrode (4) d'une puce à semi-conducteur (8) en faisant fondre l'extrémité d'un fil métallique (1) passant dans un capillaire (3), ceci de manière à former une bille métallique (2). La bille métallique (2) est ensuite fixée à l'électrode (4) tandis que le capillaire (3) est déplacé latéralement puis abaissé. Le fil (1) est soudé sur le dessus de la bille (2) fixée à l'électrode (4), puis arraché. On procède enfin à la formation de la section (B) dans laquelle on effectue la croissance de grains de cristaux de grande taille grâce à l'effet thermique de la chaleur appliquée sur le fil (1) au moment de sa fusion et de la formation de la bille (2). Cette section (B) est formée dans la section où le fil (1) est joint à la bille (2) immédiatement au-dessus de cette dernière.
Designated States: CA, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)