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1. (WO1997037722) METHOD FOR TREATING PATHOLOGICAL CONDITIONS OF TISSUES WITH NON-COHERENT RADIATION AND DEVICE THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/037722    International Application No.:    PCT/RU1996/000085
Publication Date: 16.10.1997 International Filing Date: 11.04.1996
Chapter 2 Demand Filed:    01.10.1997    
IPC:
A61N 5/06 (2006.01), A61N 5/073 (2006.01)
Applicants: BAGRAEV, Nikolai Taimourasovich [RU/RU]; (RU).
KLIATCHKINE, Leonid Efimovich [RU/RU]; (RU)
Inventors: BAGRAEV, Nikolai Taimourasovich; (RU).
KLIATCHKINE, Leonid Efimovich; (RU)
Agent: TRUZHENIKOVA, Natalya Alexeevna; a/ya 148 St.Petersburg, 198013 (RU)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR TREATING PATHOLOGICAL CONDITIONS OF TISSUES WITH NON-COHERENT RADIATION AND DEVICE THEREFOR
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT D'ETATS PATHOLOGIQUES DE TISSUS A L'AIDE D'UN RAYONNEMENT NON COHERENT ET DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)This invention relates to a method for treating pathological conditions of tissues with non-coherent radiation, wherein a periodic infrared irradiation is carried out for 1 to 20 minutes at a radiation power density of 50 to 300 MW/cm?2¿ over 1 or 2 days while taking into account the time for stopping the pain syndrome during healing of said tissues. Irradiation is performed above a section of the skin which is located above the organ responsible for the spreading of the disease triggered by a rupture in the exchange, fermentation and regeneration processes in the tissues. The radiation has a wavelength of 1 to 56 $g(m)m as a function of its linear polarisation and time modulation which are selected according to the type of disorder. A device receives an electric control signal for a control system (2) from additional power sources and adjusts the corresponding characteristics of the radiation emitted by a light emitter (3). The radiation source is previously calibrated according to the density of the radiation flow. The light emitter (3) may consist of a wide-band semiconductor silicon luminescent diode with a wavelength of non-coherent infrared radiation between 1 and 56 $g(m)m and an ultra-shallow p-n junction. The power source (1) is connected along the plane (a) of the p-n or n-p junction and ensures current flow through the doped p-n or n-p junction. The control system (2) comprises leads (c, d, e) for additional sources of electrical field, said leads being connected to the luminescent diode so that the field will act along the plane (a) of the p-n junction and prevent backward or direct displacement on said p-n junction.
(FR)Cette invention concerne un procédé de traitement d'états pathologiques de tissus à l'aide d'un rayonnement non cohérent. Ce procédé consiste à effectuer une irradiation périodique à l'aide d'un rayonnement infrarouge, ceci pendant une durée de 1 à 20 minutes, selon une densité de puissance du rayonnement de 50 à 300 MW/cm?2¿ et pendant 1 à 2 jours, tout en tenant compte du temps nécessaire pour arrêter le syndrome de la douleur lors de la cicatrisation desdits tissus. Cette irradiation se fait au-dessus d'une partie de la peau qui est elle-même située au-dessus de l'organe responsable de l'évolution de la maladie, cette dernière ayant été déclenchée par une rupture des processus d'échange, de fermentation et de régénération dans les tissus. Ce rayonnement possède une longueur d'onde allant de 1 à 56 $g(m)m, ceci en fonction de sa polarisation linéaire et de sa modulation temporelle qui sont choisies d'après le caractère de l'affection. Lorsqu'on lui envoie un signal électrique de commande d'un système de commande (2) qui provient de plusieurs sources d'alimentation électriques complémentaires, le dispositif va effectuer le réglage des caractéristiques correspondantes du rayonnement émis par un émetteur de lumière (3). La source de rayonnement est préalablement étalonnée en fonction de la densité du flux de rayonnement. On utilise en qualité d'émetteur de lumière (3) une photodiode à base de silicium, à semi-conducteur et à bande large. Cette photodiode possède une longueur d'onde de rayonnement infrarouge non cohérent allant de 1 à 56 $g(m)m, ainsi qu'une jonction p-n d'une profondeur extrêmement faible. La source d'alimentation (1) est connectée le long du plan (a) p-n ou n-p de la jonction, et assure le passage du courant à travers la zone dopée p-n ou n-p. Le système de commande (2) possède des connecteurs d'alimentation (c, d, e) pour des sources complémentaires de champ électrique, lesquels sont connectés à la photodiode de manière à ce que le champ agisse le long du plan (a) p-n de la jonction, et empêche tout déplacement retour ou direct sur ladite jonction p-n.
Designated States: AM, AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LT, LU, LV, MD, MG, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
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Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)