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1. (WO1997037382) DYNAMIC FEEDBACK ELECTROSTATIC WAFER CHUCK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/037382    International Application No.:    PCT/US1997/004273
Publication Date: 09.10.1997 International Filing Date: 19.03.1997
Chapter 2 Demand Filed:    20.10.1997    
IPC:
H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US)
Inventors: JONES, Phillip, L.; (US).
JAFARIAN-TEHRANI, Seyed, Jafar; (US).
ATLAS, Boris, V.; (US).
CHEN LIU, David, R.; (US).
TOKUNAGA, Ken, E.; (US).
CHEN, Ching-Hwa; (US)
Agent: WEAVER, Jeffrey, K.; Hickman Beyer & Weaver, P.O. Box 61059, Palo Alto, CA 94306 (US)
Priority Data:
08/624,988 29.03.1996 US
Title (EN) DYNAMIC FEEDBACK ELECTROSTATIC WAFER CHUCK
(FR) SUPPORT DE TRANCHE ELECTROSTATIQUE A INTERACTION
Abstract: front page image
(EN)An electrostatic chuck system for securely holdind a wafer (108) on a surface of the electrostatic chuck (302), the system comprising a wafer bias sensor (400) coupled to a first portion of the electrostatic chuck for sensing an alternating current signal at the first portion. The sensor outputs, responsive to the alternating current signal, a direct current voltage level representative of a direct current bias level of the wafer and is coupled to a variable power supply (412) which provides a first potential level to the first portion of the electrostatic chuck. The first potential level is modified, responsive to the direct current voltage level, to substantially maintain a first predefined potential difference between the first portion of the electrostatic chuck and a first region of the wafer overlaying the first portion irrespective of a magnitude of the direct current bias of the wafer.
(FR)Cette invention concerne un dispositif de support électrostatique conçu pour maintenir fermement une tranche de silicium (108) à la surface d'un support électrostatique (302), ledit dispositif comportant un détecteur de polarisation (400) de la tranche couplé à une première partie du support électrostatique de façon à détecter un signal de courant alternatif au niveau de cette première partie. Le détecteur fournit en sortie, en réponse à ce signal de courant alternatif, un niveau de tension continue représentatif du niveau de polarisation continue de la tranche et il est couplé à un bloc d'alimentation variable (412) qui fournit un premier niveau de potentiel à la première partie du support électrostatique. Le premier niveau de tension est modifié, en réponse au niveau de tension continue, de façon à sensiblement maintenir une première différence de potentiel préétablie entre la première partie du support électrostatique et une première région de la tranche recouvrant ladite première partie quelle que soit l'amplitude du niveau de polarisation continue de la tranche.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)