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1. (WO1997037064) METHOD AND APPARATUS FOR GROWING ORIENTED WHISKER ARRAYS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/037064    International Application No.:    PCT/RU1997/000078
Publication Date: 09.10.1997 International Filing Date: 24.03.1997
Chapter 2 Demand Filed:    25.08.1997    
IPC:
C30B 11/12 (2006.01), C30B 25/00 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: GIVARGIZOV, Evgeny Invievich [RU/RU]; (RU)
Inventors: GIVARGIZOV, Evgeny Invievich; (RU)
Priority Data:
96106224 01.04.1996 RU
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR GROWING ORIENTED WHISKER ARRAYS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE CULTURE DE RESEAUX ORIENTES DE MONOCRISTAUX SANS DISLOCATIONS
Abstract: front page image
(EN)A method for growing of oriented whisker arrays on a single-crystalline substrate consists in vapor-phase transport of the material to be crystallized from a solid-state source body of the same composition as the whiskers to the substrate coated with liquid-phase particles that serve as nucleation/catalyzing centers for the whisker growth. The source body has a plane surface that is faced to the substrate and parallel to it so that a vectorly-uniform temperature field, whose gradient is perpendicular to both the substrate and the source, is created. The vectorly-uniform temperature field is realized by an apparatus with high-frequency heating of specially designed bodies that are arranged in a special position in respect to the high-frequency inductor. Laser and/or lamp heat sources can be also used either separately or in combinations with the high-frequency heater. In the apparatus, the material source is heated, while the substrate takes heat from the material source. In another case, the substrate is heated, while the material source takes heat from the substrate.
(FR)Procédé de culture de réseaux orientés de monocristaux sans dislocations sur un substrat monocristallin, consistant à transporter en phase vapeur le matériau destiné à être cristallisé à partir d'un corps source à l'état solide présentant la même composition que les monocristaux, vers le substrat recouvert de particules en phase liquide qui servent de centres de nucléation/catalyse pour la culture des monocristaux. Le corps source présente une surface plane orientée vers le substrat et parallèle à ce dernier, de sorte qu'il se crée un champ de température vectoriellement uniforme, dont le gradient est perpendiculaire aussi bien au substrat qu'à la source. Ce champ de température vectoriellement uniforme est produit par un appareil, par échauffement à haute fréquence de corps spécialement conçus qui sont disposés dans une configuration particulière par rapport à l'inducteur à haute fréquence. On peut également utiliser un laser et/ou des lampes chauffantes, soit séparément soit de manière combinée, avec l'appareil de chauffage à haute fréquence. Dans le dispositif, la source de matériau est chauffée, tandis que le substrat reçoit la chaleur de la source de matériau. Dans une variante, le substrat est chauffé, alors que la source de matériau reçoit la chaleur du substrat.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)