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1. (WO1997036462) DEVICE AND METHOD FOR PLASMA TREATMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/036462    International Application No.:    PCT/JP1997/001071
Publication Date: 02.10.1997 International Filing Date: 27.03.1997
IPC:
B05D 7/24 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO METAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541 (JP) (For All Designated States Except US).
MABUCHI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUYUGUCHI, Junya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATAYAMA, Katsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAYAMI, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IDA, Hideo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MURAKAMI, Tomomi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKEDA, Naohiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MABUCHI, Hiroshi; (JP).
TSUYUGUCHI, Junya; (JP).
KATAYAMA, Katsuo; (JP).
HAYAMI, Toshihiro; (JP).
IDA, Hideo; (JP).
MURAKAMI, Tomomi; (JP).
TAKEDA, Naohiko; (JP)
Agent: HONOUE, Terutada; Honoue Patent Office, Sumitomoseimei-Amagasaki Building, 17-23, Higashi-naniwacho 5-chome, Amagasaki-shi, Hyogo 660 (JP)
Priority Data:
8/73467 28.03.1996 JP
9/18912 31.01.1997 JP
Title (EN) DEVICE AND METHOD FOR PLASMA TREATMENT
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PLASMIQUE
Abstract: front page image
(EN)A device and method used for etching, ashing, CVD, etc., at the time of manufacturing large scale integrated circuits (LSI) and liquid crystal displays (LCD). The device is a plasma treatment device provided with a dielectric plate for microwave waveguide, a microwave introducing window counterposed to the dielectric plate, and a reaction vessel in which a sample stage is so positioned that the table faces to the microwave introducing window. The device has a recessed section in the area of the microwave introducing window facing the sample stage. In the method, a sample is treated with a plasma by using the plasma treatment device. The plasma density in the area facing the sample and the treating speed of the sample with the plasma are increased. When etching a fine hole pattern, the pattern missing is improved. Therefore, a semiconductor device having a fine pattern can be manufactured and, at the same time, the manufacturing yield of the device, etc., is improved.
(FR)Cette invention concerne un dispositif et un procédé permettant d'effectuer une gravure, un ébarbage, une DCPV, etc., lors de la fabrication de circuits intégrés de grande taille (LSI) et d'affichages à cristaux liquides (LCD). Ce dispositif permettant d'effectuer un traitement plasmique, comprend une plaque diélectrique pour guide de micro-ondes, une fenêtre d'introduction des micro-ondes opposée à la plaque diélectrique, ainsi qu'un récipient de réaction dans lequel un étage pour échantillon est placé de manière à ce que la table soit en face de la fenêtre d'introduction des micro-ondes. Ce dispositif possède une section en retrait dans la zone de la fenêtre d'introduction des micro-ondes, en face de l'étage pour échantillon. Cette invention concerne également un procédé qui consiste à traiter un échantillon par plasma à l'aide dudit dispositif de traitement plasmique. Ce système permet ainsi d'accroître tant la densité du plasma dans la zone située en face de l'échantillon, que la vitesse de traitement plasmique dudit échantillon et, partant, de réduire les manques lors de la gravure d'un réseau de trous fins. Il est ainsi possible de fabriquer un dispositif à semi-conducteur qui possède un réseau fin, et d'améliorer simultanément le rendement du dispositif, entre autres.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)