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1. (WO1997036335) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE HAVING A SEPARATE CONFINEMENT LAYER COMPRISING A SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH AT MOST 30 % ALUMINUM OR A SEMICONDUCTOR MATERIAL FREE OF ALUMINUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/036335    International Application No.:    PCT/IB1997/000253
Publication Date: 02.10.1997 International Filing Date: 13.03.1997
IPC:
H01S 5/00 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventors: THIJS, Petrus, Johannes, Adrianus; (NL).
VAN DONGEN, Teunis; (NL)
Agent: SMEETS, Eugenius, T., J., M.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
96200858.7 28.03.1996 EP
Title (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR DIODE HAVING A SEPARATE CONFINEMENT LAYER COMPRISING A SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH AT MOST 30 % ALUMINUM OR A SEMICONDUCTOR MATERIAL FREE OF ALUMINUM
(FR) DIODE A SEMI-CONDUCTEUR EMETTRICE DE RAYONNEMENT AYANT UNE COUCHE DE CONFINEMENT SEPAREE COMPRENANT UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR AVEC 30 % D'ALUMINIUM AU MAXIMUM, OU UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR EXEMPT D'ALUMINIUM
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a radiation-emitting semiconductor diode, in particular a laser (amplifier) diode, of the buried hetero type which comprises at least one separate confinement layer (4) lying between the active layer (2) and one of the InP cladding layers (1, 3). The active region (2A) has an emission wavelength above 1 $g(m)m and forms part, as do the separate confinement layer (4) and the InP cladding layers (1, 3), of the strip-shaped region (30) which is surrounded by a current-blocking third cladding layer (5) of InP. A disadvantage of the known diode is that its starting current rises comparatively strongly in time, so that the useful life of the diode is limited and indeed too short. In a diode according to the invention, the separate confinement layer (4) comprises an aluminum-containing semiconductor material with at most 30 % aluminum, and preferably at most 20 % aluminum, or an aluminum-free semiconductor material. The short life of the known diode was caused by the presence of oxygen-containing material on the lateral sides of the separate confinement layer (4) adjoining the third cladding layer (5). The degradation is related to the aluminum content of the separate confinement layer (4). Preferably, the separate confinement layer (4) comprises AlGaInAs or GaInAsP. The bandgap and refractive index of the separate confinement layer may have flat, stepped, or gradual profiles. The invention also relates to a method of manufacturing a diode according to the invention.
(FR)Cette invention se rapporte à une diode à semi-conducteur émettrice de rayonnement, en particulier une diode (amplificateur) à laser, du type hétéro enfouie, qui comprend au moins une couche de confinement séparée (4) placée entre la couche active (2) et l'une des couches de plaquage InP (1,3). La région active (2A) possède une longueur d'ondes d'émission supérieure à 1 $g(m)m et fait partie, tout comme la couche de confinement séparée (4) et les couches de plaquage InP (1,3), de la région en forme de bande (30) qui est entourée par une troisième couche de plaquage (5) d'InP bloquant le courant. Les diodes connues ont un inconvénient, à savoir que leur courant de départ augmente comparativement fort dans le temps, de sorte que la vie utile d'une telle diode est limitée et, à vrai dire, trop courte. Dans la diode de cette invention, la couche de confinement séparée (4) comprend un matériau semi-conducteur contenant de l'aluminium, au maximum 30 % d'aluminium, et de préférence au maximum 20 % d'aluminium, ou un matériau semi-conducteur sans aluminium. La courte durée de vie des diodes connues est due à la présence de matériau contenant de l'oxygène sur les côtés latéraux de la couche de confinement séparée (4) jouxtant la troisième couche de plaquage (5). La dégradation est en rapport avec la teneur en aluminium de la couche de confinement séparée (4). La couche de confinement séparée (4) comprend AlGaInAs ou GaInAsP. La bande interdite et l'indice de réfraction de cette couche de confinement séparée peuvent avoir des profils plats, en gradin, ou à pente progressive. Cette invention se rapporte également à un procédé pour fabriquer une diode selon cette invention.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)