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1. (WO1997036333) TUNNELLING DEVICE AND METHOD OF PRODUCING A TUNNELLING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/036333    International Application No.:    PCT/RU1997/000082
Publication Date: 02.10.1997 International Filing Date: 25.03.1997
IPC:
H01L 29/76 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD [KR/KR]; Giungki-Do, Suwon City, Paldal-ku, 416 Maetan-3 Dong (KR) (For All Designated States Except US).
GUBIN, Sergei Pavlovich [RU/RU]; (RU).
KOLESOV, Vladimir Vladimirovich [RU/RU]; (RU).
SOLDATOV, Evgenii Sergeevich [RU/RU]; (RU).
TRIFONOV, Artem Sergeevich [RU/RU]; (RU).
KHANIN, Vladimir Viktorovich [RU/RU]; (RU).
KHOMUTOV, Genadii Borisovich [RU/RU]; (RU).
YAKOVENKO, Sergei Alexandrovich [RU/RU]; (RU)
Inventors: GUBIN, Sergei Pavlovich; (RU).
KOLESOV, Vladimir Vladimirovich; (RU).
SOLDATOV, Evgenii Sergeevich; (RU).
TRIFONOV, Artem Sergeevich; (RU).
KHANIN, Vladimir Viktorovich; (RU).
KHOMUTOV, Genadii Borisovich; (RU).
YAKOVENKO, Sergei Alexandrovich; (RU)
Agent: ANDRUSCHAK, Galina Nikolaevna; Hotel "Aerostar", Ofis 211, Leningradskii pr., 37/9, Moscow, 125167 (RU)
Priority Data:
96105544 26.03.1996 RU
96112308 21.06.1996 RU
Title (EN) TUNNELLING DEVICE AND METHOD OF PRODUCING A TUNNELLING DEVICE
(FR) DISPOSITIF A EFFET DE TUNNEL ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)The tunnelling device comprises input (3), output (4) and control (N) electrodes separated by tunnel barriers; the tunnel barriers and inter-barrier spaces take the form of a sequenced structure of molecules and clusters forming tunnel junctions, and each control electrode (5) is disposed in the region of the sequenced structure of molecules and clusters (2). The dimensions and characteristics of these molecules and clusters ensure single-electron correlated tunnelling of electrons in the device at relatively high (room) temperatures. The tunnelling device is based on the principle of controllable correlated electron tunnelling. The ability to control tunnel current opens up the possibility of constructing different electronic logical circuits based on single-electron tunnelling junctions and creating single-electron analogue and digital devices, in particular highly sensitive sensors. The method for manufacturing the tunnelling device is as follows: input, output and control electrodes are formed on the surface of a solid-state substrate, an inert dielectric molecular matrix is then formed incorporating sequences of active molecules and clusters which act as localisation centres for tunnelling electrons and thus form single-electron tunnel junctions. The discrete tunnelling effect of single current carriers through the tunnel barriers at room temperature achieved in this tunnelling device can be used in a single-electron transistor and in the construction of single-electron logical circuits in which logical '1' and '0' is identified with the absence or presence of a single electron.
(FR)Cette invention concerne un dispositif à effet de tunnel, lequel comprend des électrodes d'entrée (3), des électrodes de sortie (4) et N électrodes de commande (5) qui sont séparées par des barrières à effet de tunnel. Ces barrières tunnel, ainsi que les espaces entre les barrières, se présentent sous forme d'une structure ordonnée qui se compose de molécules et de groupes définissant des connexions à effet de tunnel. Chaque électrode de commande (5) est disposée dans la zone de la structure ordonnée se composant de molécules et de groupes (2). Les dimensions et les propriétés de ces molécules et de ces groupes permettent d'obtenir une transmission par effet de tunnel corrélée et à un électron des électrons dans le dispositif, ceci à des températures relativement élevées ou ambiantes. Ce dispositif à effet de tunnel fonctionne selon le principe de la transmission par effet de tunnel corrélée et commandée des électrons. La possibilité de commander le courant de transmission par effet de tunnel permet de construire différents circuits électroniques logiques fonctionnant selon le principe de connexions tunnel à un électron, et de fabriquer ainsi des dispositifs numériques ou analogiques à un électron, notamment des capteurs d'une sensibilité élevée. Le procédé de fabrication de ce dispositif à effet de tunnel consiste à former des électrodes d'entrée, de sortie et de commande sur la surface d'un substrat solide, puis à former un matrice moléculaire diélectrique inerte dans laquelle sont intégrés de manière ordonnée des molécules et des groupes actifs. Ces derniers représentent les centres de localisation des électrons circulant par effet de tunnel, et forment ainsi des connexions tunnel à un électron. Ce dispositif permet d'obtenir un effet de transmission tunnel discrète de porteurs de courant uniques à travers les barrières tunnel et à température ambiante, lequel effet peut être utilisé dans des transistors à un électron, ainsi que dans la construction de circuits logiques à un électron dans lesquels les logiques '1' et '0' sont identifiés en l'absence ou en présence d'un électron unique.
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Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)