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1. (WO1997036328) BIPOLAR TRANSISTOR WITH HIGH-ENERGY-IMPLANTED COLLECTOR, AND PRODUCTION PROCESS THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/036328    International Application No.:    PCT/DE1997/000604
Publication Date: 02.10.1997 International Filing Date: 25.03.1997
Chapter 2 Demand Filed:    28.08.1997    
IPC:
H01L 21/266 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
KERBER, Martin [AT/DE]; (DE) (For US Only).
LACHNER, Rudolf [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KERBER, Martin; (DE).
LACHNER, Rudolf; (DE)
Priority Data:
196 11 692.9 25.03.1996 DE
Title (DE) BIPOLARTRANSISTOR MIT HOCHENERGIE-IMPLANTIERTEM KOLLEKTOR UND HERSTELLVERFAHREN
(EN) BIPOLAR TRANSISTOR WITH HIGH-ENERGY-IMPLANTED COLLECTOR, AND PRODUCTION PROCESS THEREOF
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE AVEC COLLECTEUR IMPLANTE A HAUTE ENERGIE, ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(DE)Der Kollektor (5) eines Bipolartransistors wird vorzugsweise nach Herstellen von Isolationsgebieten (2) an der Halbleitersubstratoberfläche mittels einer Hochenergie-Implantation erzeugt, die ein retrogrades Dotierprofil liefert, und weist einen im wesentlichen gleichmäßigen Abstand von der Oberkante des Halbleitersubstrats bzw. des Isolationsgebietes (2) auf. Auf eine Epitaxieschicht wird verzichtet. Das Herstellverfahren ist kompatibel mit konventionellen CMOS-Verfahren.
(EN)The collector (5) of a bipolar transistor is preferably produced by high energy implantation after production of insulation regions (2) on the semiconductor substrate surface, said implantation providing a retrograde doping profile. Said collector is substantially at an equal distance from the top edge of the semiconductor substrate and of the insulation region (2). An epitaxial layer is unnecessary, and the production process is compatible with conventional CMOS processes.
(FR)Le collecteur (5) d'un transistor bipolaire est de préférence produit par implantation à haute énergie, après création de zones isolantes (2) sur la surface du substrat semiconducteur, ladite implantation permettant d'obtenir un profil de dopage rétrograde. Ledit collecteur se trouve à une distance pratiquement égale de l'arête supérieure du substrat semiconducteur et de celle de la zone isolante (2). Une couche épitaxiale n'est pas nécessaire et le procédé de production est compatible avec les procédés CMOS classiques.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)