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1. (WO1997036318) A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/036318    International Application No.:    PCT/SE1997/000533
Publication Date: 02.10.1997 International Filing Date: 26.03.1997
Chapter 2 Demand Filed:    19.09.1997    
IPC:
H01L 21/04 (2006.01)
Applicants: ABB RESEARCH LTD. [CH/CH]; P.O. Box 8131, CH-8050 Zürich (CH) (For All Designated States Except US).
ROTTNER, Kurt [DE/SE]; (SE) (For US Only)
Inventors: ROTTNER, Kurt; (SE)
Agent: BJERKÉN, Håkan; Bjerkéns Patentbyrå KB, P.O. Box 1274, S-801 37 Gävle (SE)
Priority Data:
9601174-7 27.03.1996 SE
Title (EN) A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR POSSEDANT UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SiC ET COMPOSANT
Abstract: front page image
(EN)A method for producing a semiconductor device comprises a step of implanting first conductivity type impurity dopants of at least two different elements in a semiconductor layer being doped according to a second opposite conductivity type, and after that annealing the semiconductor layer at such a high temperature that one of said elements is diffusing slowly into the semiconductor layer and the other is diffusing rapidly thereinto.
(FR)Procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteur consistant à implanter des dopants d'impureté présentant un premier type de conductivité constitués par au moins deux éléments différents dans une couche de semi-conducteur dopée en fonction d'un deuxième type contraire de conductivité, puis à effectuer le recuit de ladite couche à une température élevée, de sorte qu'un desdits éléments se diffuse lentement vers l'intérieur de la couche de semi-conducteur et que l'autre se diffuse rapidement vers l'intérieur de ladite couche.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)