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1. (WO1997036317) A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SEMICONDUCTOR LAYERS OF SiC BY THE USE OF AN IMPLANTING STEP AND A DEVICE PRODUCED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/036317    International Application No.:    PCT/SE1997/000532
Publication Date: 02.10.1997 International Filing Date: 26.03.1997
Chapter 2 Demand Filed:    19.09.1997    
IPC:
H01L 21/04 (2006.01), H01L 21/74 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Applicants: ABB RESEARCH LIMITED [CH/CH]; P.O. Box 8131, CH-8050 Zürich (CH) (For All Designated States Except US).
SCHÖNER, Adolf [DE/SE]; (SE) (For US Only).
ROTTNER, Kurt [DE/SE]; (SE) (For US Only).
NORDELL, Nils [SE/SE]; (SE) (For US Only)
Inventors: SCHÖNER, Adolf; (SE).
ROTTNER, Kurt; (SE).
NORDELL, Nils; (SE)
Agent: BJERKÉN, Håkan; Bjerkéns Patentbyrå KB, P.O. Box 1274, S-801 37 Gävle (SE)
Priority Data:
9601176-2 27.03.1996 SE
Title (EN) A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SEMICONDUCTOR LAYERS OF SiC BY THE USE OF AN IMPLANTING STEP AND A DEVICE PRODUCED THEREBY
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR POSSEDANT DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICES EN SiC AU MOYEN D'UNE ETAPE D'IMPLANTATION ET DISPOSITIF FABRIQUE AU MOYEN DE CE PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)A method for producing a semiconductor device having semiconductor layers of SiC with at least three doped layers on top of each other comprises: a step a) of growing a first semiconductor layer (1) of SiC; a step b) following on step a) of implanting an impurity dopant into said first layer for forming a second doped surface layer (3) as a sub-layer therein; and a step c) following upon step b) and in which a third semiconductor layer (4) of SiC is epitaxially grown on top of said second layer of SiC.
(FR)Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur possédant des couches semi-conductrices en SiC constituées par au moins trois couches dopées situées les unes au-dessus des autres, qui consiste à (a) mettre en croissance une première couche semi-conductrice (1) en SiC, (b) implanter un dopant d'impureté à l'intérieur de ladite première couche, afin de créer une deuxième couche de surface dopée (3) en tant que sous-couche et (c) entraîner la croissance épitaxiale d'une troisième couche semi-conductrice en SiC au sommet de ladite deuxième couche en SiC.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)