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1. (WO1997036316) A FIELD CONTROLLED SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/036316    International Application No.:    PCT/SE1997/000451
Publication Date: 02.10.1997 International Filing Date: 18.03.1997
Chapter 2 Demand Filed:    19.09.1997    
IPC:
H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/745 (2006.01), H01L 29/749 (2006.01)
Applicants: ABB RESEARCH LIMITED [CH/CH]; P.O. Box 8131, CH-8050 Zürich (CH) (For All Designated States Except US).
HARRIS, Christopher [GB/SE]; (SE) (For US Only).
BAKOWSKI, Mietek [SE/SE]; (SE) (For US Only).
GUSTAFSSON, Ulf [SE/SE]; (SE) (For US Only).
ANDERSSON, Mats [SE/SE]; (SE) (For US Only)
Inventors: HARRIS, Christopher; (SE).
BAKOWSKI, Mietek; (SE).
GUSTAFSSON, Ulf; (SE).
ANDERSSON, Mats; (SE)
Agent: BJERKÉN, Håkan; Bjerkéns Patentbyrå KB, P.O. Box 1274, S-801 37 Gävle (SE)
Priority Data:
9601179-6 27.03.1996 SE
Title (EN) A FIELD CONTROLLED SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A EFFET DE CHAMP EN SiC ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A field controlled semiconductor device of SiC comprising superimposed in the order mentioned a drain (15), a highly doped substrate layer (1), a highly doped n-type buffer layer (2) and a low doped n-type drift layer (3). It also has a highly doped n-type source region layer (7) and a source (14) connected thereto, a vertical trench (9) from above, a low doped n-type channel region layer (6) extending vertically along a wall (11) of said trench and connecting said source region layer to said drift layer and through which a current is intended to flow when the device is in an on-state. A gate electrode (12) is arranged in said trench at least along said wall and to, upon applying a voltage thereto, influence the charge carrier distribution of said channel region layer and by that the conductivity thereof. The device comprises further a p-type base layer (4) arranged laterally next to said channel region layer at the opposite side thereof with respect to the gate electrode for forming a vertical conducting channel in said channel region layer at a distance from said trench wall.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à effet de champ en SiC et comprenant des éléments superposés dans l'ordre suivant: un drain (15), une couche de substrat fortement dopée (1), un couche tampon de type n fortement dopée (2) et une couche de migration de type n faiblement dopée (3). Il comporte également une couche de zone source de type n fortement dopée (7) et une source (14) connectée à cette dernière, une tranchée verticale (9) partant de cette dernière, une couche de zone du canal du type n faiblement dopée (6) s'étendant verticalement le long d'une paroi de ladite tranchée et connectant ladite couche de zone source à ladite couche de zone de migration et à travers laquelle un courant circule lorsque le dispositif est à l'état de marche. Une électrode de grille (12) est disposée dans ladite tranchée au moins le long de ladite paroi et est conçue pour influencer, lors de l'application d'une tension sur celle-ci, la répartition du porteur de charge dans ladite couche de zone du canal et ainsi sa conductivité. Le dispositif comporte, en outre, une couche de base du type p (4) disposée latéralement à proximité de ladite couche de zone du canal, au niveau du côté opposé de celle-ci à l'électrode de grille de sorte qu'un canal conducteur vertical soit formé dans ladite couche de zone du canal, à une certaine distance de ladite paroi de tranchée.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)