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1. (WO1997036309) ELECTRON EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/036309    International Application No.:    PCT/JP1997/001031
Publication Date: 02.10.1997 International Filing Date: 26.03.1997
IPC:
H01J 1/312 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006-banchi, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571 (JP) (For All Designated States Except US).
DEGUCHI, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
EIMORI, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KITABATAKE, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIRAKI, Akio [JP/JP]; (JP).
ITO, Toshimichi [JP/JP]; (JP).
HATTA, Akimitsu [JP/JP]; (JP)
Inventors: DEGUCHI, Masahiro; (JP).
EIMORI, Nobuhiro; (JP).
KITABATAKE, Makoto; (JP).
HIRAKI, Akio; (JP).
ITO, Toshimichi; (JP).
HATTA, Akimitsu; (JP)
Agent: IKEUCHI, Hiroyuki; Suite 401, Umeda Plaza Building, 3-25, Nishitenma 4-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530 (JP)
Priority Data:
8/72734 27.03.1996 JP
Title (EN) ELECTRON EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF EMETTEUR D'ELECTRONS ET PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)An electron emitting device which efficiently emits electrons by supplying electrons to a p-type diamond layer (13) from an electron supplying layer (12) by impressing a forward bias upon MIS, p-n, and pin structures using diamond layers. In the production process of the electron emitting device, a continuous diamond layer (13) is formed by a vapor synthesizing method and the thickness of the diamond layer is adjusted to a prescribed value by etching. In order to arbitrarily control the electron affinity of the surface of the diamond layer (13), the surface is exposed to vacuum ultraviolet rays, or hydrogen or oxygen plasma.
(FR)Cette invention concerne un dispositif émetteur d'électrons, lequel va assurer une émission efficace en envoyant des électrons vers une couche de diamant de type p (13) depuis une couche fournissant des électrons (12), ceci en appliquant une polarisation directe sur les structures MIS, p-n et à broches, à l'aide des couches de diamant. Cette invention concerne également un procédé de fabrication de ce dispositif émetteur d'électrons, lequel procédé consiste former une couche de diamant continue (13) selon une technique de synthèse par vapeur. L'épaisseur de cette couche de diamant peut être ajustée par gravure jusqu'à ce que l'on atteigne une valeur prédéterminée. Afin de pouvoir ajuster comme on le souhaite l'affinité de la surface de la couche de diamant (13) envers les électrons, ladite surface est exposée à un rayonnement ultraviolet sous vide ou, encore, à un plasma d'hydrogène ou d'oxygène.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)