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1. (WO1997023004) PRODUCTION OF FILMS AND POWDERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/023004    International Application No.:    PCT/US1996/019814
Publication Date: 26.06.1997 International Filing Date: 13.12.1996
Chapter 2 Demand Filed:    26.06.1997    
IPC:
H01L 31/032 (2006.01)
Applicants: MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US/US]; 425 Volker Boulevard, Kansas City, MO 64110 (US)
Inventors: BHATTACHARYA, Raghu, Nath; (US).
NOUFI, Rommel; (US).
WANG, Li; (US)
Agent: RICHARDSON, Ken; National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401 (US)
Priority Data:
08/575,862 20.12.1995 US
Title (EN) PRODUCTION OF FILMS AND POWDERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS
(FR) PRODUCTION DE FILMS ET DE POUDRES DESTINES A DES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A process for chemical bath deposition of selenide and sulfide salts as films and powders employable as precursors for the fabrication of solar cell devices. The films and powders include (1) Cu¿x?Se¿n?, wherein x = 1-2 and n = 1-3; (2) Cu¿x?Ga¿y?Se¿n?, wherein x = 1-2; y = 0-1 and n = 1-3; (3) Cu¿x?In¿y?Se¿n?, wherein x = 1-2, y = 1-2 and n = 1-3; (4) Cu¿x?(InGa)¿y?Se¿n?, wherein x = 1-2, y = 1-2 and n = 1-3; (5) In¿y?Se¿n?, wherein y = 1-2 and n = 1-3; (6) Cu¿x?S¿n?, wherein x = 1-2 and n = 1-3; and (7) Cu¿x?(InGa)¿y?(SeS)¿n?, wherein x = 1-2; y = 1-2 and n = 1-3. A reaction vessel containing therein a substrate upon which will form one or more layers of semiconductor material is provided, and relevant solution mixtures are introduced in a sufficient quantity for a sufficient time and under favorable conditions into the vessel to react with each other to produce the resultant salt being prepared and deposited as one or more layers on the substrate and as a powder on the floor of the vessel. Hydrazine is present during all reaction processes producing non-gallium-containing products and optionally present during reaction processes producing gallium-containing products to function as a strong reducing agent and thereby enhance reaction processes.
(FR)Procédé permettant de déposer par bain chimique des sels de séléniure et de sulfure sous forme de films et de poudres utilisables comme précurseurs pour la fabrication de dispositifs à cellules solaires. Les films et les poudres comprennent (1) du Cu¿x?Se¿n?, dans lequel x = 1-2 et n = 1-3; (2) du Cu¿x?Ga¿y?Se¿n?, dans lequel x = 1-2; y = 0-1 et n = 1-3; (3) du Cu¿x?In¿y?Se¿n?, dans lequel x = 1-2, y = 1-2 et n = 1-3; (4) du Cu¿x?(InGa)¿y?Se¿n?, dans lequel x = 1-2, y = 1-2 et n = 1-3; (5) du In¿y?Se¿n?, dans lequel y = 1-2 et n = 1-3; (6) du Cu¿x?S¿n?, dans lequel x = 1-2 et n = 1-3; et (7) du Cu¿x?(InGa)¿y?(SeS)¿n?, dans lequel x = 1-2; y = 1-2 et n = 1-3. On utilise une cuve de réaction contenant un substrat sur lequel se formeront une ou plusieurs couches de matière semiconductrice et on introduit dans la cuve des mélanges de solutions appropriées en quantité suffisante, pendant une durée suffisante et dans des conditions favorables pour qu'ils réagissent ensemble et produisent le sel résultant qui est lui-même préparé et déposé sur le substrat sous forme d'une ou de plusieurs couches et sous forme d'une poudre déposée au fond de la cuve. L'hydrazine est présente pendant tous les processus de réaction formant des produits ne contenant pas de gallium et facultativement présente pendant les processus de réaction formant des produits contenant du gallium pour servir de puissant agent réducteur et améliorer ainsi les processus réactionnels.
Designated States: AU, CA, JP, MX, RU.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)