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1. (WO1997022995) SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING TWO OR MORE METALLIC WIRING LAYERS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/022995    International Application No.:    PCT/JP1996/003685
Publication Date: 26.06.1997 International Filing Date: 18.12.1996
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Applicants: SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163-08 (JP) (For All Designated States Except US).
KATO, Juri [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Yukiharu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YASUHARA, Masanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MARUO, Yutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Hiroo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAMURA, Kazuharu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WATANABE, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KATO, Juri; (JP).
KOBAYASHI, Yukiharu; (JP).
YASUHARA, Masanori; (JP).
MARUO, Yutaka; (JP).
SATO, Hiroo; (JP).
KAWAMURA, Kazuharu; (JP).
WATANABE, Takeshi; (JP)
Agent: INOUE, Hajime; Ogikubo TM Building, 2nd floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 167 (JP)
Priority Data:
7/329357 18.12.1995 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING TWO OR MORE METALLIC WIRING LAYERS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPORTANT DEUX OU PLUS DE DEUX COUCHES DE CABLAGE METALLIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device containing two or more metallic wiring layers comprises: the step (a) of forming a first metallic wiring layer (10) having a first conductive layer (12) made mainly of at least aluminum and a second conductive layer (14) containing a metal having a melting point higher than that of the layer (12); the step (b) of forming an interlayer insulating layer (20) having a through hole by forming an insulating layer exhibiting electrical insulation on the first metallic wiring layer (10) and a resist layer of a prescribed pattern on the insulating layer, and patterning the insulating layer in such a way that at least part of the second conductive layer (14) is left by etching the insulating layer, using the resist layer as a mask; the step (c) of removing the resist layer; and the step (d) of forming a second metallic wiring layer (50) including a first conductive layer (52) made mainly of at least aluminum on the interlayer insulating layer (20) and electrically connecting the first and second wiring layers (12 and 50) to each other by forming a conductive section in the through hole. In this method, the reaction of the aluminum contained in the first conductive layer (12) with the etching gas and the resist components is prevented and no reaction product that hinders the patterning of the second metallic wiring layer (50) is formed, because the resist layer is removed while the second conductive layer (14) is left. Therefore, defects such as short-circuit and disconnection in the second metallic wiring layer (50) is prevented reliably.
(FR)Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant deux ou plus de deux couches à câblage métallique. Ce procédé comporte les étapes suivantes: (a) réalisation d'une première couche de câblage métallique (10) comportant une première couche conductrice (12) constituée essentiellement et au minimum, d'aluminium et une deuxième couche conductrice (14) renfermant un métal dont le point de fusion et supérieur à celui de la couche (12); (b) réalisation d'une couche d'isolation d'intermédiaire (20) comportant un orifice de passage en réalisant une couche isolante d'isolation électrique sur la première couche à câblage métallique (10) et une couche résistante, présentant une certaine configuration, sur la couche isolante, cette dernière recevant ensuite une configuration telle qu'au moins une partie de la deuxième couche conductrice (14) est libérée par gravure de la couche isolante, la couche résistante étant utilisé comme un masque; (c) enlevèment de la couche résistante; (d) formation d'une deuxième couche à câblage métallique (50) comprenant une première couche conductrice (52) constituée, essentiellement et au minimum, d'aluminium sur la couche isolante intermédiaire (20) et reliant électriquement les première et deuxième couche de câblage (12) et (50) l'une à l'autre en ménageant une section conductrice dans l'orifice traversant. Selon ce procédé, la réaction de l'aluminium contenu dans la première couche conductrice (12) avec le gaz de gravure et les composants résistants est prévenue et aucune réaction ne se produit qui compromettrait la réalisation de la configuration de la deuxième couche de câblage métallique (50), du fait que la couche résistante étant levée alors que la deuxième couche conductrice (14) est laissée. Ce procédé permet de prévenir avec fiabilité les défauts tels que les courts circuits et les débranchements dans la deuxième couche (50) à câblage métallique.
Designated States: JP, KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)