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1. (WO1997022990) SECURE SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/022990    International Application No.:    PCT/US1996/019808
Publication Date: 26.06.1997 International Filing Date: 12.12.1996
Chapter 2 Demand Filed:    07.07.1997    
IPC:
G11C 5/00 (2006.01), G11C 7/24 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
ROLLENDER, Matthew [US/US]; (US) (For US Only).
HIRT, Ray [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ROLLENDER, Matthew; (US).
HIRT, Ray; (US)
Agent: TAYLOR, Edwin, H.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
08/575,295 20.12.1995 US
Title (EN) SECURE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR PROTEGE
Abstract: front page image
(EN)A method for securing confidential circuitry from observation by unauthorized inspection, and a secure circuit immune from unauthorized inspection according to the method. In one embodiment, confidential data or circuitry is placed on a face of separate silicon layers (42, 44), each silicon layer having part of a circuit. Neither silicon layer is intelligible without the other, yet neither can be observed without destroying the other. The two silicon layers are juxtaposed, the face of the first silicon layer (42) flush against and fused to the face of the second silicon layer (44), the confidential circuits on each silicon layer connecting directly with circuits on the other silicon layer without external connectors. Data stored on each face is erased or destroyed when the silicon layers are separated or one of the silicon layers is destroyed. Violence to either silicon layer, or exposure of either silicon layer to light, destroys the data or circuitry on at least one silicon layer of silicon, making the data or circuitry unreadable.
(FR)Procédé permettant de protéger des circuits confidentiels afin qu'ils ne puissent être inspectés par des personnes non autorisées, et circuit protégé contre l'inspection non autorisée. Dans une forme de réalisation, on introduit des données confidentielles ou un circuit du type confidentiel sur une face de couches séparées (42, 44) en silicium, chaque couche en silicium comprenant une partie d'un circuit. Aucune couche en silicium n'est intelligible sans l'autre et aucune couche ne peut être observée sans que l'autre ne soit détruite. Les deux couches en silicium sont juxtaposées, la face de la première couche (42) est appliquée contre et soudée à la face de la deuxième couche (44) en silicium, les circuits confidentiels situés sur chaque couche en silicium se connectant directement avec les circuits situés sur l'autre couche en silicium sans dispositifs de connexion externes. Les données stockées sur chaque face sont effacées ou détruites lorsque les couches en silicium sont séparées ou lorsqu'une des couches en silicium est détruite. L'altération par la violence d'une des couches ou l'exposition à la lumière d'une des couches a pour effet de détruire les données ou les circuits présents sur une ou les deux couches en silicium et de rendre ainsi les données ou les circuits illisibles.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
African Regional Intellectual Property Organization (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)