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1. (WO1997021225) READ-ONLY MEMORY AND METHOD OF COMMANDING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/021225    International Application No.:    PCT/DE1996/002241
Publication Date: 12.06.1997 International Filing Date: 21.11.1996
Chapter 2 Demand Filed:    20.06.1997    
IPC:
G11C 16/04 (2006.01), G11C 17/12 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
SEDLAK, Holger [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SEDLAK, Holger; (DE)
Priority Data:
195 45 557.6 06.12.1995 DE
Title (DE) FESTSPEICHER UND VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG DESSELBEN
(EN) READ-ONLY MEMORY AND METHOD OF COMMANDING SAME
(FR) MEMOIRE ROM ET PROCEDE DE COMMANDE CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Festspeicher mit einer Vielzahl von Speicherzellen beschrieben, deren Inhalt unter entsprechender Ansteuerung durch Wort-, Bit- und Sourceleitungen (WL, BL, SL) auslesbar ist. Der beschriebene Festspeicher zeichnet sich dadurch aus, daß die über eine einzelne Wortleitung (WL) ansprechbaren Speicherzellen in eine Vielzahl von Gruppen aufgeteilt sind, von denen jeder eine separate gemeinsame Sourceleitung (SL) zugeordnet ist. Gemäß dem Verfahren wird ein gruppenweises Auslesen der über eine einzelne Wortleitung (WL) ansprechbaren Speicherzellen durchgeführt.
(EN)A read-only memory is proposed with a plurality of memory locations whose contents can be read out by appropriate commands via word-, bit and source lines (WL, BL, SL). The read-only memory is characterised in that the memory locations which can be addressed via a single word line (WL) are divided into a plurality of groups to each of which a separate common source line (SL) is allocated. According to the claimed method, reading out from the memory locations which can be addressed via a single word line (WL) is done in groups.
(FR)L'invention concerne une mémoire ROM comportant une pluralité de cellules de mémoire dont le contenu peut être lu par une commande par lignes de mots, de bits, ou de source (WL, BL, SL). La mémoire ROM écrite est caractérisée en ce que les cellules de mémoire adressables par l'intermédiaire d'une seule ligne de mots (WL) sont divisées en une pluralité de groupes à chacun desquels est allouée une ligne de source (SL) distincte commune. Selon le procédé de l'invention, la lecture des cellules de mémoire adressables par l'intermédiaire d'une seule ligne de mots (WL) est effectuée par groupes.
Designated States: CN, JP, KR, RU, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)