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1. (WO1997021222) DEVICE AND METHOD FOR PROGRAMMING HIGH IMPEDANCE STATES UPON SELECT INPUT/OUTPUT PADS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/021222    International Application No.:    PCT/US1996/011790
Publication Date: 12.06.1997 International Filing Date: 17.07.1996
Chapter 2 Demand Filed:    01.07.1997    
IPC:
G01R 31/3185 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, TX 78741 (US)
Inventors: HAWKINS, Keith, G.; (US).
NAIR, Harikumar, B.; (US).
JAVALAGI, Shivachandra, I.; (US)
Agent: JONES, Donald, G.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, M/S 562, Austin, TX 78741 (US).
BROOKES & MARTIN; "Association No. 14", High Holborn House, 52/54 High Holborn, London WC1V 6SE (GB)
Priority Data:
08/565,684 01.12.1995 US
Title (EN) DEVICE AND METHOD FOR PROGRAMMING HIGH IMPEDANCE STATES UPON SELECT INPUT/OUTPUT PADS
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE PERMETTANT LA PROGRAMMATION D'ETATS A FORTE IMPEDANCE LORS DE LA SELECTION DE PLAGES DE CONNEXION D'ENTREE/SORTIE
Abstract: front page image
(EN)An integrated circuit incorporating programmable pullup and pulldown devices into each input/output (I/O) pad is described. Each I/O pad may be individually programmed to include a pullup or pulldown function. Pullpup and pulldown resistors may be removed from a system employing the present integrated circuit. Programming of the I/O pads may be accomplished in a number of ways. Following the deassertion of a reset signal, high impedance states may be transferred into a shift data storage within the integrated circuit. Once the states are received, they are shifted to the respective I/O pads through a serial chain connection of the pullup and pulldown devices within each I/O pad. The states are then maintained by each pullup and pulldown device until a subsequent reprogramming. Software programs may also reprogram the pullup and pulldown states by storing appropriate values into the shift data storage. The program then sets an appropriate value into a status register included within the integrated circuit. Upon detection of the value within the status register, the integrated circuit reprograms the high impedance states of the I/O pads with the states stored in the shift data storage.
(FR)L'invention porte sur un circuit intégré renfermant des dispositifs de rappel à la source et de rappel à la masse dans chaque plage de connexion d'entrée/sortie (E/S). Chaque plage E/S peut être individuellement programmée pour inclure une fonction de rappel à la source ou de rappel à la masse. Dans un système utilisant le circuit intégré selon l'invention, il est possible d'enlever les résistances de rappel à la source et de rappel à la masse. Il est possible de programmer les plages de connexion E/S d'un certain nombre de façons. Après l'invalidation d'un signal de remise à zéro, il est possible de transférer des états à forte impédance dans une mémoire de données de décalage au sein du circuit intégré. A réception, ces états sont introduits par décalage dans les plages E/S respectives au moyen d'une connexion à chaîne sérielle des dispositifs de rappel à la source et de rappel à la masse dans chaque plage E/S. Chacun de ces dispositifs retient les états jusqu'à la réalisation d'une reprogrammation ultérieure. Il est également possible, à l'aide de programmes de logiciel, de reprogrammer des états de rappel à la source et des états de rappel à la masse en mémorisant des valeurs appropriées dans une mémoire de données de décalage. Le programme positionne alors une valeur appropriée dans un registre d'état faisant partie du circuit intégré. Lors de la détection de la valeur dans le registre d'état, le circuit intégré reprogramme les états à forte impédance des plages E/S avec des états mémorisés dans la mémoire de données de décalage.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)