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1. (WO1997020352) MOS TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/020352    International Application No.:    PCT/IB1996/001256
Publication Date: 05.06.1997 International Filing Date: 19.11.1996
IPC:
H01L 29/10 (2006.01)
Applicants: PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventors: HUGHES, John, Barry; (NL).
MOULDING, Kenneth, William; (NL)
Agent: ANDREWS, Arthur, S.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
9524334.1 28.11.1995 GB
Title (EN) MOS TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR MOS
Abstract: front page image
(EN)In order to enable non-integer current ratios to be produced in current mirror circuits using small transistors the channel area is adjusted by changes in the channel length over part of the width of the channel. In further embodiments the transistor is formed as two or more sub-transistors, the channel length of one sub-transistor being unequal to that of the other(s).
(FR)Pour produire des rapports de courants non entiers dans des circuits miroirs de courant en utilisant de petits transistors, la zone de canal est ajustée en changeant la longueur du canal sur une partie de la largeur du canal. Dans d'autres formes d'exécution, le transistor est constitué par deux sous-transistors ou davantage, la longueur du canal d'un sous-transistor étant différente de celle de l'autre ou des autres sous-transistors.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)