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1. (WO1997020347) SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PACKAGED SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/020347    International Application No.:    PCT/JP1996/002815
Publication Date: 05.06.1997 International Filing Date: 27.09.1996
Chapter 2 Demand Filed:    27.09.1996    
IPC:
H01L 23/13 (2006.01), H01L 23/16 (2006.01), H01L 23/24 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/34 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01), H01L 23/367 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIBAMOTO, Masanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ICHITANI, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HARUTA, Ryo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMOTO, Katsuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARITA, Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ANJO, Ichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIBAMOTO, Masanori; (JP).
ICHITANI, Masahiro; (JP).
HARUTA, Ryo; (JP).
MATSUMOTO, Katsuyuki; (JP).
ARITA, Junichi; (JP).
ANJO, Ichiro; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, N.S. Excel 301, 22-45, Nishishinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Priority Data:
7/308761 28.11.1995 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PACKAGED SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE PRODUCTION DE CE DISPOSITIF, ET SUBSTRAT ENCAPSULE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device wherein a semiconductor chip (1) is adhered via a jointing metal (2) to one face of a heatsink (4) composed of a material having a coefficient of thermal expansion close to that of the semiconductor chip (1); the heatsink (4) is adhered via a silicone adhesive (5) having a modulus of elasticity of 10 MPa or less to a frame (3); to the frame (3) is adhered a TAB tape (9) via an epoxy adhesive (6); and the semiconductor chip (1) is sealed with a sealing epoxy resin (8) having a modulus of elasticity of 10 GPa or more and thus protected from the environment.
(FR)Dispositif à semi-conducteur dans lequel une puce de semi-conducteur (1) est collée au moyen d'un métal de raccordement (2) à une surface d'un puits de chaleur (4) composé d'un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est proche de celui de la puce (1); le puits de chaleur (4) est collé par l'intermédiaire d'un adhésif au silicone (5), dont le module d'élasticité ne dépasse pas 10 Mpa, à un cadre (3); une bande de soudage (9) est collée au cadre (3) par un adhésif époxyde (6); et la puce de semi-conducteur (1) est recouverte de façon étanche par une résine époxyde d'étanchéité (8) dont le module d'élasticité est d'au moins 10 Gpa, de sorte qu'elle soit protégée de l'environnement.
Designated States: AL, AU, BA, BB, BG, BR, CA, CN, CU, CZ, EE, GE, HU, IL, IS, JP, KR, LC, LK, LR, LT, LV, MG, MK, MN, MX, NO, NZ, PL, RO, SG, SI, SK, TR, TT, UA, US, UZ, VN.
African Regional Intellectual Property Organization (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)