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1. (WO1997020345) MANUFACTURING PROCESS FOR THIN-FILM CIRCUITS COMPRISING INTEGRATED CAPACITORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/020345    International Application No.:    PCT/EP1996/004406
Publication Date: 05.06.1997 International Filing Date: 10.10.1996
Chapter 2 Demand Filed:    19.03.1997    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: ITALTEL S.P.A [IT/IT]; Piazzale Zavattari, 12, I-20149 Milano (IT)
Inventors: CARCANO, Giorgio; (IT).
LAZZARI, Stefano; (IT).
MAGLIOCCO, Massimo; (IT)
Agent: GIUSTINI, Delio; Italtel spa, Cascina Castelletto, 20019 Settimo Milanese (IT)
Priority Data:
MI95A002486 29.11.1995 IT
Title (EN) MANUFACTURING PROCESS FOR THIN-FILM CIRCUITS COMPRISING INTEGRATED CAPACITORS
(FR) PROCEDE POUR FABRIQUER DES CIRCUITS A FILM MINCE COMPRENANT DES CONDENSATEURS INTEGRES
Abstract: front page image
(EN)There is described a manufacturing process for thin-film circuits comprising the phases of: a) sputtering of superimposed layers of TaN, Ti, Pd?1¿, Ta¿2?O¿5? and Pd?2¿ (2, 3, 4, 5, 6) in a single vacuum cycle, b) photoetching of the Pd?2¿ layer and creating upper electrodes (ES) of capacitors (CAP), c) photoetching of the Ta¿2?O¿5? layer and creation of respective dielectrics (DL) more extensive than the upper electrodes, d) photomasking and growth of galvanic gold (11) along conductive paths (1c1, 1c2) and a resistive path (1r) and opposite lower electrodes (EI) forming crowns (COR) which enclose the dielectrics, e) engraving of Pd?1¿, Ti and TaN outside the galvanic gold (11) to create the capacitors (CAP) and the conductive lines (1c1, 1c2), f) engraving of Au, Pd?1¿ and Ti opposite the resistive paths (1r) to create the resistors (RES), and g) execution of metallic air bridges (ABR) to interconnect the upper electrodes of the capacitors with the rest of the circuit.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication pour des circuits à film mince consistant à (a) appliquer par pulvérisation des couches superposées de TaN, Ti, Pd?1¿, Ta¿2?O¿5? et Pd?2¿ (2, 3, 4, 5, 6) dans une seule étape de mise sous vide, (b) effectuer une opération de photogravure sur la couche de Pd?2¿ et créer des électrodes supérieures (ES) des condensateurs (CAP), (c) effectuer une opération de photogravure sur la couche de Ta¿2?O¿5? et créer des diélectriques respectifs (DL) plus larges que les électrodes supérieures, (b) effectuer une opération de photomasquage et de dépôt d'or galvanique (11) le long des tracés conducteurs (1c1, 1c2) et des tracés résistifs (1r) et en face des électrodes inférieures (EI) en formant des couronnes (COR) qui entourent les diélectriques, (e) graver Pd?1¿, Ti et TaN à l'extérieur du dépôt d'or galvanique (11) pour créer les condensateurs (CAP) et les lignes conductrices (1c1, 1c2), (f) graver Au, Pd?1¿ et Ti en face des tracés résistifs (1r) pour créer les résistances (RES) et (g) réaliser des ponts métalliques dans l'air (ABR) pour connecter les électrodes supérieures des condensateurs avec le reste du circuit.
Designated States: CN, NO.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)