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1. (WO1997020341) THERMAL PROCESSING APPARATUS AND PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/020341    International Application No.:    PCT/US1996/018731
Publication Date: 05.06.1997 International Filing Date: 22.11.1996
Chapter 2 Demand Filed:    27.06.1997    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/673 (2006.01)
Applicants: SILICON VALLEY GROUP, INC. [US/US]; Suite 400, 101 Metro Drive, San Jose, CA 95110 (US) (For All Designated States Except US).
KOBLE, Terry, A., Jr. [US/US]; (US) (For US Only).
DIP, Anthony [US/US]; (US) (For US Only).
ENGDAHL, Erik, H. [US/US]; (US) (For US Only).
OLIVER, Ian, R. [GB/US]; (US) (For US Only).
RATLIFF, Christopher, T. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KOBLE, Terry, A., Jr.; (US).
DIP, Anthony; (US).
ENGDAHL, Erik, H.; (US).
OLIVER, Ian, R.; (US).
RATLIFF, Christopher, T.; (US)
Agent: WALKER, William, B.; Menlo Oaks Corporate Center, Suite 280, 4400 Bohannan Drive, Menlo Park, CA 94024-1041 (US)
Priority Data:
08/563,875 28.11.1995 US
Title (EN) THERMAL PROCESSING APPARATUS AND PROCESS
(FR) DISPOSITIF POUR TRAITEMENT THERMIQUE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)Thermal treatment boats (26, 34) comprising a cylinder having a central axis (36) and a plurality of band slots (38, 39) spaced along the axis. The slot heights are from about 3.8 to 12.7 mm. Each of the bands having a height, Height¿Band?, in mm, according to the equation: Height¿Band? = ColumnHeight-$g(S)BandSlotHeight / NumberBands, wherein Height¿Band? is always $m(G) wafer thickness; ColumnHeight is the total height of the cylinder, mm, BandSlotHeight is the height of the slot, mm; NumberBands is the total number of bands in the treatment boat. Each band preferably includes wafer support means (44, 70, 72, 74, 76) for supporting a wafer (46, 100) therein. With this device, the heat provided by the heater can raise the temperature of the wafers from 21 °C up to 1100 °C at a rate of from 50 °C per minute to 100 °C per minute without causing mechanical damage from thermal stresses to the wafer.
(FR)Cette invention concerne des nacelles (26, 34) pour traitement thermique comportant un cylindre ayant un axe central (36) et une pluralité de fentes (38, 39) définissant des bandes réparties suivant ledit axe. La hauteur des fentes varie de 3,8 mm environ à 12,7 mm. Chacune des bandes a une hauteur, désignée par Hauteur¿Bande?, exprimée en mm et conforme à l'équation suivante: Hauteur¿Bande? = HauteurColonne-$g(S) HauteurFente-de-Bande / NombreBandes, dans laquelle Hauteur¿Bande?, est toujours $m(G) épaisseur de plaquette, HauteurColonne est la hauteur totale du cylindre, exprimée en mm, HauteurFente-de-Bande est la hauteur d'une fente, exprimée en mm, et NombreBandes est le nombre total de bandes de la nacelle destinée au traitement. Chaque bande comporte de préférence un organe de support (44, 70, 72, 74, 76) de plaquette conçu pour supporter une plaquette (46, 100). Ce dispositif permet d'utiliser la chaleur produite par l'organe de chauffe pour élever la température des plaquettes de 21 °C jusqu'à 1100 °C, à une vitesse comprise entre 50 °C par minute et 100 °C par minute, sans provoquer de dégâts mécaniques pouvant résulter des contraintes thermiques infligées aux plaquettes.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
African Regional Intellectual Property Organization (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)