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Pub. No.:    WO/1997/020320    International Application No.:    PCT/IT1996/000226
Publication Date: 05.06.1997 International Filing Date: 26.11.1996
Chapter 2 Demand Filed:    23.05.1997    
G21B 3/00 (2006.01)
Applicants: SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. [IT/IT]; Via C. Olivetti, 2, I-20041 Agrate Brianza (IT) (For All Designated States Except US).
MASTROMATTEO, Ubaldo [IT/IT]; (IT) (For US Only)
Inventors: MASTROMATTEO, Ubaldo; (IT)
Agent: BOTTI, Mario; Porta, Checcacci & Botti S.r.l., Viale Sabotino, 19/2, I-20135 Milan (IT)
Priority Data:
MI95A002502 30.11.1995 IT
Abstract: front page image
(EN)The monolithically integrated device according to this invention comprises a first substrate (SUB) and, at least in a portion: a) a first structure (ST1) of a first material in solid form suitable to absorb hydrogen with ensuing generation of thermal energy, superposed to said substrate (SUB); b) a second structure (ST2) of a second material in solid form suitable to release hydrogen when it reaches a temperature higher than a prefixed temperature, superposed to said substrate (SUB); c) a third structure (ST3) of a third material in solid form suitable to generate thermal energy when it is submitted to the passage of electric current, so placed as to be thermally coupled at least to said second structure (ST2); wherein said first structure (ST1) and said second structure (ST2) are in contact, at least partly, with one another.
(FR)Le dispositif intégré de façon monolithe selon cette invention comporte un premier substrat (SUB) et, au moins, dans une partie, a) une première structure (ST1) d'une première substance, sous forme solide, propre à absorber de l'hydrogène, avec pour corollaire une production d'énergie thermique, se superposant audit substrat (SUB), b) une deuxième structure (ST2) d'une deuxième substance, sous forme solide, propre à libérer de l'hydrogène lorsqu'elle atteint une température supérieure à une température préétablie, se superposant audit substrat (SUB), c) une troisième structure (ST3) d'une troisième substance, sous forme solide, propre à produire de l'énergie thermique lorsqu'elle est soumise à un courant électrique et placée de manière à être en couplage thermique avec la deuxième structure précitée (ST2). Lesdites première et deuxième structures (ST1 et ST2) sont en contact, partiellement, au moins.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN.
African Regional Intellectual Property Organization (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)